Acalon.e²

B3lc3bU escribió:Mira, cuando haga el temático esta tarde, me pongo con las preguntas esas de electrónica a ver si te puedo echar un cable

B3lc3bU escribió:
Muchiiiisimas gracias por las respuestas!! Aunque aún me quedan un par de preguntitas...

146

La falsa es la uno, por que si recuerdas la alfa de transistor es \(\alfa =\frac{I_C}{I_E}\), entonces si aumento la temperatura la generación de electrones y huecos aumenta en todas las partes del transistor incluida la base, y al aumentar estos, la inyección de portadores desde la base al colector se hace significativa, aumentado as la corriente de colector, y haciendo por tanto que \(\alfa\) aumente. por tanto La 1 Falsa.

Si aumentan tanto \(I_c\) como \(I_e\), ¿cómo sabes que \(I_c\) aumenta más que \(I_e\) y que por eso alfa aumenta?

147

Hay que tener en cuenta que nos estan hablando de hacer independiente el punto de trabajo del diodo emisor-base con la temperatura, hay que tener en cuenta que al variar la temperatura varia beta por tanto el diodo emisor-base, es decir la tensión \(V_{BE}\) varía, por tanto lo mejor para hacer esto es hacer independiente el funcionamiento de nuestro dispositivo de esta tensión y esto lo conseguimos de la mejor manera si logramos anular esta tensión.

mirate esto a ver si te ayuda un poco http://www.ie.itcr.ac.cr/marin/lic/el22 ... %20BJT.pdf

Pero en la solución dicen que hay que hacer Vbe suficientemente grande no nula.

148

Aquí por lo mismo que hemos comentado en la 146 las corriente tanto de emisor y de colector aumentarían al aumentar la temperatura.

OK

150

Aquí vamos a pensar únicamente en un diodo ya que nos hablan de la unión base colector, sabemos que en un diodo la corriente inversa de saturación es \(I(t)=I_0e^{-frac{qV}{kT}}\) entonces si aumentamos la temperatura aumenta la corriente inversa, en un diodo de silicio crece mas rápido que en germanio, pues me acabo de enterar.....

OK

153

La cuatro es falsa por que según la definición de alfa, si aumentamos la corriente de emisor, disminuye alfa y beta también.

OK

154

Es la uno, por que piensa que al aumentar la corriente de la base, la corriente de colector aumenta, ya que a esta se le suma la componente de la base.

¿Y lo de la resistencia dinámica del emisor? ¿Alguna idea de por qué disminuye?

Espero te sirva un poco las demás no las tengo muy claras...

Lolita escribió:

B3lc3bU escribió:
Ahora que me fijo...

150

Aquí vamos a pensar únicamente en un diodo ya que nos hablan de la unión base colector, sabemos que en un diodo la corriente inversa de saturación es \(I(t)=I_0e^{-frac{qV}{kT}}\) entonces si aumentamos la temperatura aumenta la corriente inversa, en un diodo de silicio crece mas rápido que en germanio, pues me acabo de enterar.....

En la página 3 del enlace que has puesto, no pone justo lo contrario? que en el Ge crece más rápido? O se refiere a otra cosa? Qué lio...

Lolita escribió:

Lolita escribió:

B3lc3bU escribió:
Muchiiiisimas gracias por las respuestas!! Aunque aún me quedan un par de preguntitas...

146

La falsa es la uno, por que si recuerdas la alfa de transistor es \(\alfa =\frac{I_C}{I_E}\), entonces si aumento la temperatura la generación de electrones y huecos aumenta en todas las partes del transistor incluida la base, y al aumentar estos, la inyección de portadores desde la base al colector se hace significativa, aumentado as la corriente de colector, y haciendo por tanto que \(\alfa\) aumente. por tanto La 1 Falsa.

Si aumentan tanto \(I_c\) como \(I_e\), ¿cómo sabes que \(I_c\) aumenta más que \(I_e\) y que por eso alfa aumenta?

Aumenta mas por los niveles de dopado, el dopado de emiso es mayor que el de base y emisor en ese orden por tanto nota mas el aumento de portadores por parte de la base, el colector que el emisor

147

Hay que tener en cuenta que nos estan hablando de hacer independiente el punto de trabajo del diodo emisor-base con la temperatura, hay que tener en cuenta que al variar la temperatura varia beta por tanto el diodo emisor-base, es decir la tensión \(V_{BE}\) varía, por tanto lo mejor para hacer esto es hacer independiente el funcionamiento de nuestro dispositivo de esta tensión y esto lo conseguimos de la mejor manera si logramos anular esta tensión.

mirate esto a ver si te ayuda un poco http://www.ie.itcr.ac.cr/marin/lic/el22 ... %20BJT.pdf

Pero en la solución dicen que hay que hacer Vbe suficientemente grande no nula.

Pues la verdad es que tendre que refrescar un poco esto por que me estoy empezando a liar, a ver déjame un poco

148

Aquí por lo mismo que hemos comentado en la 146 las corriente tanto de emisor y de colector aumentarían al aumentar la temperatura.

OK

150

Aquí vamos a pensar únicamente en un diodo ya que nos hablan de la unión base colector, sabemos que en un diodo la corriente inversa de saturación es \(I(t)=I_0e^{-frac{qV}{kT}}\) entonces si aumentamos la temperatura aumenta la corriente inversa, en un diodo de silicio crece mas rápido que en germanio, pues me acabo de enterar.....

En la página 3 del enlace que has puesto, no pone justo lo contrario? que en el Ge crece más rápido? O se refiere a otra cosa? Qué lio...

La verdad es que lo de que en silicio o en el germanio mas rápido no tengo ni idea la verdad, lo pensare mas detenidamente

153

La cuatro es falsa por que según la definición de alfa, si aumentamos la corriente de emisor, disminuye alfa y beta también.

OK

154

Es la uno, por que piensa que al aumentar la corriente de la base, la corriente de colector aumenta, ya que a esta se le suma la componente de la base.

¿Y lo de la resistencia dinámica del emisor? ¿Alguna idea de por qué disminuye?


Es que lo de la resistencia dinamica, es la pendiente que sale en la recta cuando tomamos el punto de trabajo, en la transparencia lo ves, entonces si la corriente de colector aumenta la recta se hace menos pendiente por tanto disminuye su valor
Espero te sirva un poco las demás no las tengo muy claras...

B3lc3bU escribió:

Lolita escribió:

Lolita escribió:
150

Aquí vamos a pensar únicamente en un diodo ya que nos hablan de la unión base colector, sabemos que en un diodo la corriente inversa de saturación es \(I(t)=I_0e^{-frac{qV}{kT}}\) entonces si aumentamos la temperatura aumenta la corriente inversa, en un diodo de silicio crece mas rápido que en germanio, pues me acabo de enterar.....

En la página 3 del enlace que has puesto, no pone justo lo contrario? que en el Ge crece más rápido? O se refiere a otra cosa? Qué lio...

La verdad es que lo de que en silicio o en el germanio mas rápido no tengo ni idea la verdad, lo pensare mas detenidamente

Además si \(I_0\) es la corriente de saturación, tendría sentido que en el Ge aumentara más rápidamente, pues su corriente de saturación es mayor que en la del Silicio, no?

Ah pues no, edito y me retracto, por ahí he visto que para el germanio la corriente se duplica por cada 10º C.

B3lc3bU escribió:

Lolita escribió:

Lolita escribió:
Muchiiiisimas gracias por las respuestas!! Aunque aún me quedan un par de preguntitas...

146

La falsa es la uno, por que si recuerdas la alfa de transistor es \(\alfa =\frac{I_C}{I_E}\), entonces si aumento la temperatura la generación de electrones y huecos aumenta en todas las partes del transistor incluida la base, y al aumentar estos, la inyección de portadores desde la base al colector se hace significativa, aumentado as la corriente de colector, y haciendo por tanto que \(\alfa\) aumente. por tanto La 1 Falsa.

Si aumentan tanto \(I_c\) como \(I_e\), ¿cómo sabes que \(I_c\) aumenta más que \(I_e\) y que por eso alfa aumenta?

Aumenta mas por los niveles de dopado, el dopado de emiso es mayor que el de base y emisor en ese orden por tanto nota mas el aumento de portadores por parte de la base, el colector que el emisor

¿Cómo? Vale, el colector está menos dopado que el emisor, y qué es eso de que nota más el aumento de portadores? Aish... lo siento, pero esto de los transistores es un lio...

B3lc3bU escribió:

Lolita escribió:

Lolita escribió:
154

Es la uno, por que piensa que al aumentar la corriente de la base, la corriente de colector aumenta, ya que a esta se le suma la componente de la base.

¿Y lo de la resistencia dinámica del emisor? ¿Alguna idea de por qué disminuye?


Es que lo de la resistencia dinamica, es la pendiente que sale en la recta cuando tomamos el punto de trabajo, en la transparencia lo ves, entonces si la corriente de colector aumenta la recta se hace menos pendiente por tanto disminuye su valor

Ok, a ver si lo he entendido o me lo estoy inventando: He visto por ahí que: "La pendiente de la curva característica es 1/rd, donde rd es la resistencia dinámica de la unión base-emisor de transistor (http://www.monografias.com/trabajos7/bi ... z2htf7EplO)"
Y viendo la diapositiva se ve que la pendiente aumenta con Ib, por lo que su inversa, que es la resistencia dinámica disminuye al aumentar Ib.