Acalon.e²

veo q hoy soy la única q tiene dudas, muy bien chic@s eso es q dominais la materia!!!!!!!!!
alla va:

en un detector de radiación constituido por un diodo de semiconductor, se suele medir la corriente inversa de saturación como magnitud asociada a la intensidad de radiación. En este dispositivo al aumentar en 10ºC la temperatura, la corriente inversa de saturación aproximadamente:
sol:aumenta el doble

el problema es q como mucho llego a "3" (y trampeando) y no me sirve de nada ya q otra posible solución es el cuádruple con lo cual no podria decidir,

una pistilla.....

nada, ya la resolví!!!

pues ya que te pones, echame un cable

parece ser q la relación de la corriente inversa d saturación con la temperatura es:

Io(T2)=Io(T1)*2^((T2-T1)/10)

Buenas noches y dulces sueños!!!!

Gracias por auto-resolverte las dudas :p

y cuántas fórmulas más me voy a tener que aprender de memoria? A mí ya no me caben más, creo que paso de aprenderme cosas nuevas. De todas formas, gracias por resolverme la duda

Carlosfisi, siempre cabe alguna mas. Ayer me aprendí como varía la Efermi en un semiconductor intrínseco. No te rindas ahora!!!

se tratab de la preg. 185 del 2005, ¿Qué relación hay entre la carga recogida con la teperatura y la presión? No encuentro ningún argumento para esto.

la pregunta era del 97 pero no recuerdo cual exactamente

ah, tb salio en el 97? He mirado en el link del 97 pero no la encuentro, sabes cómo solucionarla?

no, me refiero a q la q yo puse es del 97, la q tu dices se resuelve jugando con

R=I/M

donde M

M=roV*(P*To)/(Po*T)

tendría q hacerla de nuevo para decirte todos los pasos pero ahora mismo no tengo tiempo, intentalo si no lo consigues avisa

Grache! no te perocupes sabiendo eso ya lo intento, a ver q sale!

Ya la resolví Vanessa.

ok !!