Hola a tod@s:
Aquí dejo otra de esas preguntas, que leo, contesto y luego veo que soy tonto y no se porqué la verdad.
"en un extrinseco tipo p, la conductividad:"
Solución correcta: la conductividad disminuye con la temperatura en un intervalo de temperaturas amplio de la temperatura ambiente.
Vale pues yo creía que la conductividad aumenta con la temperatura en semiconductores y disminuye en metales, y no esto.
Mi cabeza es un sistema a presión constante que va a estallar.
¿Qué pensais de la solución?
Otra de semiconductores
Moderador: Alberto
Has preguntado dos que se han discutidos en varias ocasiones. A la conclusíón que me ayudaron a llegar
En los intrínsecos la temperatura aumenta con la conductividad.
En los extrínsecos en una gráfica que ví, la conductividad se mantienen constante con la temperatura en un amplio rango, pero en los exámenes pone que la resistividad aumenta.
En los intrínsecos la temperatura aumenta con la conductividad.
En los extrínsecos en una gráfica que ví, la conductividad se mantienen constante con la temperatura en un amplio rango, pero en los exámenes pone que la resistividad aumenta.
La conductividad en un material semiconductor intrínseco aumenta con la temperatura ya que el aumento de ni es mayor que la disminución de las movilidades.
Para un semiconductor extrínseco, en un entorno amplio de la temperatura ambiente, como la concentración de portadores mayoritarios no varía apreciablemente la conductividad disminuye con la movilidad.
Una cosa q estoy pensando es q creo q a mi tb m engañaron todos estos años cuando decían q un semiconductor a altas temperaturas se vuelve intrínseco (haber si era yo quien lo interpretaba mal
), lo razonable sería decir q se vuelve compensado y tiene un comportamiento similar al intrínseco, no?
Para un semiconductor extrínseco, en un entorno amplio de la temperatura ambiente, como la concentración de portadores mayoritarios no varía apreciablemente la conductividad disminuye con la movilidad.
Una cosa q estoy pensando es q creo q a mi tb m engañaron todos estos años cuando decían q un semiconductor a altas temperaturas se vuelve intrínseco (haber si era yo quien lo interpretaba mal
), lo razonable sería decir q se vuelve compensado y tiene un comportamiento similar al intrínseco, no?Comparto opinión contigo Vanessa. De todas formas, existen gráficas en las cuales se explica que a altas temperaturas, se comportan com intrinsecos.
¿Compensados?, yo tengo de un libro, que cuando un semiconductor es compensado, es pq tiene mismo número de impurezas donadoras que de aceptoras, luego eso no dependería de la temperatura ¿no crees?. Bueno de todas formas gracias.
¿Compensados?, yo tengo de un libro, que cuando un semiconductor es compensado, es pq tiene mismo número de impurezas donadoras que de aceptoras, luego eso no dependería de la temperatura ¿no crees?. Bueno de todas formas gracias.
Yo tengo escrito por ahi que la movilidad de un portador en un extrínseco tipo p es proporcional a 1/T^m donde m=2,5 para electrones y 2,7 para huecos. Como la movilidad es proporcional a la conductividad, al aumentar T disminuye esta.
En los intrinsecos, el número de pares electron-hueco al cuadrado, que de alguna manera debe estar relacionado con la conductividad, es proporcional a T^3 * EXP(-Egap/KT). No se cual de los dos términos dominará sobre el otro, si T^3 o EXP(-1/T). Por lo que decis si aumenta T aumenta la conductividad, luego debe ser T^3 a bajas temperaturas.
Por último, a altas temperaturas un intrínseco se vuelve extrínseco, creo que se refiere a la E fermi, en la que en el intrínseco la energía se encuentra en la mitad del gap y en los extrínsecos en los bordes. A medida que T aumenta La Ef en los extrínsecos se centra en el gap.
En fín, no está mal para alguien que se piensa dejar en blanco las preguntas de electrónica
En los intrinsecos, el número de pares electron-hueco al cuadrado, que de alguna manera debe estar relacionado con la conductividad, es proporcional a T^3 * EXP(-Egap/KT). No se cual de los dos términos dominará sobre el otro, si T^3 o EXP(-1/T). Por lo que decis si aumenta T aumenta la conductividad, luego debe ser T^3 a bajas temperaturas.
Por último, a altas temperaturas un intrínseco se vuelve extrínseco, creo que se refiere a la E fermi, en la que en el intrínseco la energía se encuentra en la mitad del gap y en los extrínsecos en los bordes. A medida que T aumenta La Ef en los extrínsecos se centra en el gap.
En fín, no está mal para alguien que se piensa dejar en blanco las preguntas de electrónica
Bueno, yo sin tener ni idea de electrónica y sin meterme en cálculos, la pensé con un argumento de esos ad hoc estilo epiciclos de ptolomeo... ahí va:
En un semiconductor extrínseco tenemos impurezas, que pueden ser donoras D o aceptoras A. Si son D al aumentar la temperatura tendremos muchos electrones que en su movimiento colisionarán, creando una especie de resistividad adicional. Si son A al aumentar la temperatura y crear los pares, los electrones libres son capturados por las trampas A así que crean una especie de resistividad adicional.
Y al final fué la resistividad adicional.
Evidentemente es todo mentira o deberia serlo... pero mi conclusión es que al aumentar T en un semiconductor extrínseco la conductividad disminuye.
En un semiconductor extrínseco tenemos impurezas, que pueden ser donoras D o aceptoras A. Si son D al aumentar la temperatura tendremos muchos electrones que en su movimiento colisionarán, creando una especie de resistividad adicional. Si son A al aumentar la temperatura y crear los pares, los electrones libres son capturados por las trampas A así que crean una especie de resistividad adicional.
Y al final fué la resistividad adicional.
Evidentemente es todo mentira o deberia serlo... pero mi conclusión es que al aumentar T en un semiconductor extrínseco la conductividad disminuye.