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Re: Temático 31

Publicado: 30 Oct 2009, 12:00
por bevim
Eso es, lo que dice Monica, si el electron se encuentra en la B.C. su masa efectiva es positiva, pero si se encuentra en la B.V. pasa a tener masa negativa, y justo al contrario es para los huecos.
Con respecto a la opcion 4, tambien pienso que la movilidad depende del dopaje, a menos fuera del equilibrio, lo que no sé si es muy burdo generalizar esto para el caso de semicond en equilibrio, que opinais??

Re: Temático 31

Publicado: 30 Oct 2009, 12:33
por bevim
Voy a empezar a lanzar mis dudas:

9. Esta la explico alguien hace tiempo, y me da como solucion la 2. (E1) esta tb debia ser cierta, no?

21. La dependencia de n y p con la temperatura la ceo clara, pero no con la cantidad de impurezas...

25. Un misterio :roll:

42. Cual es la relacion entre la capacidad de difusion y la de transicion, por que es mayor la de difusion?

53. Yo diria que la correcta es la 3.

69. Ni idea

70. Ni puti...

84. Yo creo que hay dependencia entre movilidad y dopaje.

86. Creo que esta bien, pues si aumentas la anchura, se aumenta la dif d epotencial en el contacto.

90. No os suena que los espectros de gases son continuos, me parece que con esto tengo un lio...

99. No sería correcta la 1?? Yo la que veo incorrecta es la 4.
Por cierto, en relacion a esta que valor de Eg teneis en vuestros apuntes para el Si y el Ge???? Yo he encontrado que 0,7 y 0,3 respectivamente, peor dudo, por que en otro sitio he visto otros valores.

104. Esta seguimos sin saber por que...

105. alguien sabria por que?

117. sabeis en que rango del espectro muestra las bandas el espectre raman??

130. ??? Es normal es electronica..


Qué de dudas!!! Que horror! :oops:

Re: Temático 31

Publicado: 30 Oct 2009, 12:53
por becks
bevim escribió:Voy a empezar a lanzar mis dudas:

9. Esta la explico alguien hace tiempo, y me da como solucion la 2. (E1) esta tb debia ser cierta, no?
No.
DESPLAZAMIENTO ARITMETICO
DESPLAZAMIENTO DERECHA: Si no son cíclicos, se va añadiendo u cer a la izquierda y el resto de bits van desparaciiendo. Ejemplo: 1001 ----- 0100
DESPLAZAMIENTO IZQUIERDA: Al revés, se añaden ceros a la derecha a la vez que se desplaza hacia la izquierda: Ejemplo: 1001------ 0010
DESPLAZAMIENTO CON ROTACION: El bit que sale por un lado, entra por el otro. Ejemplo: 10010------01001

DESPLAZAMIENTO LOGICO:
Los bits del hueco se rellenan con ceros.

DESPLAZAMIENTO LOGICO DERECHA: 001011 ------0 00101
DESPLAZAMIENTO LOGICO IZQUIERDA: 001011 ------01011 0



21. La dependencia de n y p con la temperatura la ceo clara, pero no con la cantidad de impurezas...

25. Un misterio :roll:

42. Cual es la relacion entre la capacidad de difusion y la de transicion, por que es mayor la de difusion?

Dan por correcta la 5

53. Yo diria que la correcta es la 3.

No, si son aceptoras, introducen un nivel cerca de la banda de valencia, y sin son donores, introducen un nivel cerca de la banda de conducción.

69. Ni idea

70. Ni puti...

84. Yo creo que hay dependencia entre movilidad y dopaje.

86. Creo que esta bien, pues si aumentas la anchura, se aumenta la dif d epotencial en el contacto.

90. No os suena que los espectros de gases son continuos, me parece que con esto tengo un lio...

99. No sería correcta la 1?? Yo la que veo incorrecta es la 4.
Por cierto, en relacion a esta que valor de Eg teneis en vuestros apuntes para el Si y el Ge???? Yo he encontrado que 0,7 y 0,3 respectivamente, peor dudo, por que en otro sitio he visto otros valores.

104. Esta seguimos sin saber por que...

105. alguien sabria por que?

117. sabeis en que rango del espectro muestra las bandas el espectre raman??

130. ??? Es normal es electronica..


Qué de dudas!!! Que horror! :oops:

Re: Temático 31

Publicado: 30 Oct 2009, 13:37
por Incógnita
bevim escribió:Voy a empezar a lanzar mis dudas:
21. La dependencia de n y p con la temperatura la ceo clara, pero no con la cantidad de impurezas...
\(n\cdot p=N_cN_v \exp\frac{-GAP}{k_{B}T}\)

25. Un misterio :roll:
Por aventurar eh, así que no me hagas caso, lo vería como un filtro pasa alta, como las guías de onda. Pero eso, según he mirado es un condensador en paralelo con una bobina. Así que sí, misterio

84. Yo creo que hay dependencia entre movilidad y dopaje.
Pos eso, dan la 1

90. No os suena que los espectros de gases son continuos, me parece que con esto tengo un lio...
El hidrógeno es un gas no?, pues eso.. raaaaaaaayaaaaaasss millllll :laughing4:

99. No sería correcta la 1?? Yo la que veo incorrecta es la 4. No, son iguales a la raíz cuadrada de la intrínseca, por eso es incorrecta. Y la 4 no sé a qué magnitud están haciendo referencia...
Por cierto, en relacion a esta que valor de Eg teneis en vuestros apuntes para el Si y el Ge???? Yo he encontrado que 0,7 y 0,3 respectivamente, peor dudo, por que en otro sitio he visto otros valores. Yo tengo 1.2 y 0.8eV respectivamente, pero esto varia supongo con temas de cristalización. Lo que siempre se debe verificar es que el del Ge es menor.

105. alguien sabria por que? Digo yo que si una señal es de alta frecuencia, los dientes de sierra estarán muy juntos, y si los electrones del osci tuvieran deriva o inercia, acabaría por emborronarse todo.

117. sabeis en que rango del espectro muestra las bandas el espectre raman??Que alguien me corrija si me equivoco porque hablo de memoria: rotacional-microondas e infrarrojo, vibracional-IR y electrónico-visible



Qué de dudas!!! Que horror! :oops:
[/quote]

Re: Temático 31

Publicado: 30 Oct 2009, 13:43
por Monica
25.- no lo había puesto porque no estoy segura, creo que tiene que ver con las corrientes do focauld que se forman dentro de un cilindro hueco, cuanto mayor es la frecuencia mayores corrientes se forman y el cilindro se comporta como un oscilador. Pero estas ideas están cogidas con pinzas

Re: Temático 31

Publicado: 30 Oct 2009, 13:56
por becks
117.- Que alguien me corrija si me equivoco porque hablo de memoria: rotacional-microondas e infrarrojo lejano, vibracional-IR cercano y electrónico-visible

RAMAN: VISIBLE

Re: Temático 31

Publicado: 30 Oct 2009, 14:28
por Curie
117- Correcto Becks!

Re: Temático 31

Publicado: 30 Oct 2009, 15:49
por bevim
Cierto chic@s!

Bueno, hay un par que no me terminan de convencer:

99. Yo es que tengo en mis apuntes que para un semiconductor intrínseco y en condiciones de equilibrio (es decir las condiciones de nuestra pregunta) se cumple que
\(n=p=n_{i}\)
por tanto la 1 yo diría que es correcta.

21. Te prometo que esa formula no la había visto nunca, la has sacado de tus apuntes Acalon o de alguna bibliografía? Es que no encuentro la relacion entre las que yo tengo en los míos y la que me pones...

Por lo demás CHAPÓ! Hasta luego!

Re: Temático 31

Publicado: 30 Oct 2009, 17:48
por Incógnita
bevim escribió:Cierto chic@s!

Bueno, hay un par que no me terminan de convencer:

99. Yo es que tengo en mis apuntes que para un semiconductor intrínseco y en condiciones de equilibrio (es decir las condiciones de nuestra pregunta) se cumple que
\(n=p=n_{i}\)
por tanto la 1 yo diría que es correcta.

21. Te prometo que esa formula no la había visto nunca, la has sacado de tus apuntes Acalon o de alguna bibliografía? Es que no encuentro la relacion entre las que yo tengo en los míos y la que me pones...

Por lo demás CHAPÓ! Hasta luego!
He estado revisandolo y lo que antes hacía referencia respecto de las raíces cuadradas son las densidades de estados, y no las concentraciones. La expresión es precisamente eso, y está en varios libros, pero claro, son las densidades, así que no lo veo claro ahora en la 99.

Re: Temático 31

Publicado: 31 Oct 2009, 11:02
por Curie
Ea escribió:Hola fieras! Algunas de mis 1423 docenas de dudas de este temático son estas.

1. La distancia internuclear de equilibrio de la molécula de I2 en su estado electrónico fundamental es re = 0,267 nm. Si en el espectro electrónico de absorción aparece una banda electrónica en la que el máximo de intensidad corresponde al continuo, debe tratarse de una transición a un estado electrónico excitado para el que re es:
3. Mucho mayor que 0,267 nm


De qué va esto?Ea, esta creo que va mas por donde tu dices. Visualiza el potencia molecular, si separamos los atomos una distancia un poco mayor que la distancia de equilibro el sistema sigue estando ligado, ya que seguiriamos sin salir del "pozo", ahora bien, si nos desplazamos mucho de esa distancia la molecula se disocia, es decir, ya no es un sistema ligado y por tanto tenemos un continuo de energias disponibles.

3. Que sucede con el ancho de banda de un sólido cuando se aumenta la temperatura?
4. No varía.

Cuando dice “ancho de banda de un sólido” se refieren al intervalo de frecuencias de la radiación que emite por estar a una determinada temperatura? Si es así, la frecuencia sí depende de T, aumenta con ella, verdad? Ahora bien, la respuesta correcta es la 4 porque el intervalo de frecuencias solo se desplaza a frecuencias mayores, pero no varía su ancho? Cómo se demuestra que no varía su ancho?Yo creo que esta se esta refiriendo a la energia del gap (no se me ocurre otra cosa). Y el valor del gap de un solido no depende de la temperatura.

25. A frecuencias elevadas un cilindro metálico hueco se comporta de forma similar a como lo hace en baja frecuencia
un circuito formado por:
1. Un condensador en paralelo con una bobina.

Es porque a bajas frecuencias esta asociación favorece el paso de la corriente por la bobina? Entonces que tiene que ver si la corriente que pasa por el cilindro es de frecuencia elevada o baja? Un condensador en paralelo con una bobina a frecuencias bajas siempre parecera un cilindro hueco, independientemente de la frecuencia de éste, no?Yo asi lo pensé, sip.


49. La salida de un equipo es una señal alterna de 10 kHz con una componente positiva continua de 1 Voltio. Para eliminar esa componente continua, dejando inalterada la componente alterna:
5. Se pone un circuito C-R a la salida en configuración de filtro pasoalto donde 1/(RC)<<10 kHz.

Es porque a una componente continua se le puede considerar como una señal de frecuencia igual a 0? Yo creo que si, aunque esta la conteste un poco por descarte...

80. Un integrador es un sistema cuya salida es muy sensible a la línea de cero de la entrada. Para corregir en lo posible el efecto de una línea de cero no nula en la entrada al integrar una señal de muy alta frecuencia se utilizará:
3. Un filtro paso-alta

Esto debería ser intuitivo?Esta creo que ya la contesto Monica..

Gracias.

Re: Temático 31

Publicado: 31 Oct 2009, 11:06
por Ea
Gracias Curie. :)

Re: Temático 31

Publicado: 31 Oct 2009, 12:10
por Curie
Voy con las mias..
104-Yo tampoco tengo ni papa!!
106-Me lo explique???
78-Esta no me queda clara. La zona de agotamiento no es mas ancha en el lado menos dopado???O esto solo es en polarizacion directa???

:pottytrain5:

Re: Temático 31

Publicado: 31 Oct 2009, 12:35
por bevim
Eso es Curie, y por eso mismo dice que se extiende por el lado de mayor resistividad, porque ese es el lado menos dopado.

Re: Temático 31

Publicado: 31 Oct 2009, 12:46
por Curie
Joer que trabada, esque pense que daban como correcta la 4, ya me estaba volviendo loca... :drunken: