Acalon.e²

soiyo escribió:

carlacc escribió:

Lolita escribió:Ahí van otras dos:

99. Calcula la razón del primer intervalo energético
entre niveles rotacionales y vibracionales para la
molécula de HF. El momento de inercia de esta molécula
es de I=1,35 10-40gcm2 y la frecuencia vibracional
es de 3987 cm-1:
1. 0,565
2. 0,319
3. 0,101
4. 0,0104
5. 1,08 10-4

Esta es la 125....http://www.radiofisica.es/foro/viewtopi ... 9&start=30
No te fies de los numeros que ponen ahi de diferencias de energias que están mal...te digo los valors que me salen a mi \(\Delta E_{r}=8,24\cdot 10^{-22}J\) y \(\Delta E_{v}=7,92\cdot 10^{-20}J\)...


Como pueden ser las unidades de una frecuencia L^-1, no entiendo....
Gracias!

B3lc3bU escribió:Hola soni, mira esto lo tratamos como un circuito normal, donde tenemos un resistencia y dos reactancias (una capacitiva y otra inductiva), entonces lo que hacemos es como es un ciruito en seria calculamos la intensidad que pasa por todos los elementos como \(I=\frac{V_{eficaz}}{|Z|}\) , donde \(|Z|=\sqrt{R^2+(L\omega - \frac{1}{C\omega})^2}=500\), y ahora nos calculamos la intensidad del circuito que es \(I=0.2A\), por ultimo vemos que tensión cae en el condensador \(V_{efC}=|Z_C|I=120V\)

Espero haberme explicado XDDD

Entendido!! mil gracias

B3lc3bU escribió:

soiyo escribió:

Lolita escribió:Ahí van otras dos:

99. Calcula la razón del primer intervalo energético
entre niveles rotacionales y vibracionales para la
molécula de HF. El momento de inercia de esta molécula
es de I=1,35 10-40gcm2 y la frecuencia vibracional
es de 3987 cm-1:
1. 0,565
2. 0,319
3. 0,101
4. 0,0104
5. 1,08 10-4

Esta es la 125....http://www.radiofisica.es/foro/viewtopi ... 9&start=30
No te fies de los numeros que ponen ahi de diferencias de energias que están mal...te digo los valors que me salen a mi \(\Delta E_{r}=8,24\cdot 10^{-22}J\) y \(\Delta E_{v}=7,92\cdot 10^{-20}J\)...


Como pueden ser las unidades de una frecuencia L^-1, no entiendo....
Gracias!

Te dan 1/lambda y le dicen frecuencia... ¡¡Que no nos engañen!!

mgc escribió:Hola! Una dudilla:

2. En un semiconductor extrínseco de Si tipo P, en un
entorno de 30ºC de la temperatura ambiente (300ºk),
¿cuál de las siguientes propuestas se cumple?
1. La concentración de huecos aumenta con la temperatura.
2. La conductividad del semiconductor disminuye con la
temperatura.
3. La concentración de electrones disminuye con la temperatura.
4. La concentración de electrones es mayor que la concentración
de huecos.
5. La resistividad del semiconductor es independiente de
la temperatura.

Yo pensaba que con la temperatura la conductividad del semiconductor aumentaba... ¿o es sólo con los intrínsecos? ¿Y por qué para los intrínsecos, no?

Creo que te has hecho un lio, conductividad de un semiconductor aumenta con la temperatura, y disminuya con esta.....Es lo que te están diciendo

Muchas gracias!

B3lc3bU escribió:

mgc escribió:Hola! Una dudilla:

2. En un semiconductor extrínseco de Si tipo P, en un
entorno de 30ºC de la temperatura ambiente (300ºk),
¿cuál de las siguientes propuestas se cumple?
1. La concentración de huecos aumenta con la temperatura.
2. La conductividad del semiconductor disminuye con la
temperatura.
3. La concentración de electrones disminuye con la temperatura.
4. La concentración de electrones es mayor que la concentración
de huecos.
5. La resistividad del semiconductor es independiente de
la temperatura.

Yo pensaba que con la temperatura la conductividad del semiconductor aumentaba... ¿o es sólo con los intrínsecos? ¿Y por qué para los intrínsecos, no?

Creo que te has hecho un lio, conductividad de un semiconductor aumenta con la temperatura, y disminuya con esta.....Es lo que te están diciendo

Yo también me hice un lío con el redactado en esta pregunta... Porque obviamente depende de como lo leas es correcto "La conductividad del semiconductor disminuye con la
temperatura" pero también lo es La conductividad del semiconductor aumenta con latemperatura"...

Muchas gracias!

carlacc escribió:

B3lc3bU escribió:

mgc escribió:Hola! Una dudilla:

2. En un semiconductor extrínseco de Si tipo P, en un
entorno de 30ºC de la temperatura ambiente (300ºk),
¿cuál de las siguientes propuestas se cumple?
1. La concentración de huecos aumenta con la temperatura.
2. La conductividad del semiconductor disminuye con la
temperatura.
3. La concentración de electrones disminuye con la temperatura.
4. La concentración de electrones es mayor que la concentración
de huecos.
5. La resistividad del semiconductor es independiente de
la temperatura.

Yo pensaba que con la temperatura la conductividad del semiconductor aumentaba... ¿o es sólo con los intrínsecos? ¿Y por qué para los intrínsecos, no?

Creo que te has hecho un lio, conductividad de un semiconductor aumenta con la temperatura, y disminuya con esta.....Es lo que te están diciendo

Yo también me hice un lío con el redactado en esta pregunta... Porque obviamente depende de como lo leas es correcto "La conductividad del semiconductor disminuye con la
temperatura" pero también lo es La conductividad del semiconductor aumenta con latemperatura"...

Muchas gracias!

B3lc3bU escribió:Lo que ocurre es que en un conductor tipo p, todas las impurezas están ionizadas ya, y la concentración de huecos esta dominada por la cantidad de impurezas aceptadoras, por ser tipo, entonces, habría que ver en que proporción esta dopado el semiconductor para ver si en las inmediaciones de los 300K, el aumento de huecos intrínsecos, realmente es algo que se puede tener en cuenta, lo que es claro que la conductividad aumenta ya que los electrones si que aumentan, ya que las impurezas solo aportan huecos y un calentamiento producirá un aumento significativo de electrones...no se si te convence