Re: General 34
Publicado: 20 Nov 2013, 20:14
soiyo escribió:B3lc3bU escribió:Lolita escribió:Hola!
Os pongo algunas dudas del nuevo general:
84. Algunas galaxias tienen en su centro agujeros negros
de enorme masa. El material que gira en remolino en
torno a un agujero negro se calienta, se ioniza y genera
intensos campos magnéticos. Las fuerzas magnéticas
resultantes encaminan parte del material
hacia chorros de alta velocidad que se proyectan
hacia fuera de la galaxia y al espacio intergaláctico.
La luz azul que se observa en el chorro tiene una
frecuencia de 6,66 1014 Hz pero en el marco de referencia
del material proyectado la luz tiene una frecuencia
de 5,55 1013 Hz. ¿Con qué velocidad se desplaza
el material del chorro hacia nosotros?
1. 0,982c
2. 0,911c
3. 0,896c
4. 0,986c
5. 0,782c
A mi me da 0,916c
No está mal, aplicamos efecto doppler relativista para frecuencias percibidas mayores \(\nu '=\nu\sqrt{\frac{1-\beta}{1+\beta}}\), depejas y te sale con signo negativo, ya que se debe acercar a nosotros para percibir una frecuencia mayor
Y por que no sirve usar la expresion del red shift????
Yo también me lio, ya no se cuándo usar una y cuándo la otra...
92. En un experimento de interferencia de doble rendija,
se observa en la pantalla que la distancia entre dos
franjas brillantes es de 3 mm. Determine la posición
de la franja oscura de tercer orden respecto al eje del
sistema de la pantalla.
1. 1,5 mm
2. 3 mm
3. 4,5 mm
4. 6 mm
5. 7,5 mm
A mi me da 0,0105m
Aquí únicamente hacemos \(\Delta x_{brilantes}=\frac{\lambda L}{d}=3mm\) y para franjas oscuras tenemos que \(x=(2m+1)\frac{1}{2}\frac{\lambda L}{d}=\frac{2m+1}{2}3mm\), sustituyes para el tercer orden, es decir m=2, ojo que empezamos a contar en m=0, y te sale
Oooohhh, gracias!!
Aaaah... es que usaba m=3...
164. Sobre la concentración intrínseca, señala la sentencia
INCORRECTA
1. Sólo en los semiconductores sin dopado y en equilibrio
térmico, las concentraciones de electrones y
huecos son iguales a la concentración intrínseca
2. Depende fuertemente de la temperatura mediante el
producto de los factores, T3/2 y eE/2kt
3. En los semiconductores de mayor anchura de banda
prohibida (Eg) es menor que en aquellos de menor
Eg, en ambos casos a igual temperatura
4. En el germanio es varios órdenes de magnitud mayor
que en el silicio si ambos materiales están a igual
temperatura
5. Todas las anteriores
Yo pensaba que la 1 era correcta…
Ojo, la uno es correcta pero si quitamos la palabra "sólo", ya que un conductor extrínseco se puede volver intrínseco a muy altas temperaturas, volviendo a ser la concentración de portadores igual a la concentración intrínseca
Ah, vale!
Ok
103. Un objeto colocado a 50 cm frente a un espejo esférico
genera una imagen virtual 20% más pequeña.
Determinar la posición de la imagen y la distancia
focal del espejo (en cm).
1. 50; 100
2. 40; 200
3. -40; -200
4. 25; -200
5. 30; 100
Esta es la 2, no?
A mi aplicando que en espejos, las distancias delante del espejo son positivas y detrás de el negativas, me sale la 3
Jo, es que a mi me sale siempre haciéndolo al revés, yo paso de este problema![]()
En este el problema es el criterio de signos que uses....si se usa el DIN, la correcta es la 2...con el DIN, la imagen virtual tiene s'>0....
Gracias por la ayuda!