Acalon.e²

B3lc3bU escribió:no te precoupes, mira el transistor es NPN entonce si produzco portadores en la zona P, estos tenderán a difundirse a las zonas con menos concentración, por tanto si la zona del colector tiene menos concentración de portadores que el emisor, estos tenderán a difundirse hacia este en lugar de hacia el emisor, haciendo que la corriente de colector sea mayor

Ahora lo entiendo, qué maravilla. Gracias.

de nada XDD

Hmm... una última cosita...

En la 153, dice "cuando IE aumenta, la alfa del transistor puede aumentar y la beta disminuir". ¿Cómo es esto? Yo pensé que si una aumentaba la otra también...

Gracias...

mira, tenemos que:

\(\alpha=\frac{I_C}{I_E}\) y \(\beta=\frac{I_C}{I_B}\),

Entonces si aumentamos la intensidad de emisor esta claro que si aumentamos la intensidad de emisor disminuye \(\alpha\) pero como sabemos \(I_E=I_C+I_B\) entonces según si este aumento se debe a un aumento de la corriente el la base o en el colector, la beta podrá aumentar o disminuir.

¿Y por qué como dice en el apartado uno, a corrientes altas de emisor sabemos que beta disminuirá y no aumentará? ¿Qué hace de diferente al ser alta la corriente?

Ahora mismo no logro ver por que, mira te dejo una pdf que he encontrado que explica las cosas muy bien, mejor que el otro, es largo unas 50 paginas, pero creo que te ayudaras bastante.

http://cvb.ehu.es/open_course_ware/cast ... teoria.pdf

Gracias B3lc3BU!

B3lc3bU escribió:Ahora mismo no logro ver por que, mira te dejo una pdf que he encontrado que explica las cosas muy bien, mejor que el otro, es largo unas 50 paginas, pero creo que te ayudaras bastante.

http://cvb.ehu.es/open_course_ware/cast ... teoria.pdf

Esto es una locura... B3Lc3bU, si te has mirado el pdf este, a lo mejor tú entiendes la diferencia entre estas dos cosas:

Pág 92. Base común
"Al aumentar el módulo de la tensión Vcb... la anchura efectiva de la base disminuirá. Esta disminución de la anchura efectiva de la base tendrá como
consecuencia que los portadores inyectados por el emisor van a tenerlo más fácil a la
hora de atravesar la misma. Es decir, aumentará en número de portadores que llegarán al colector o, lo que es lo mismo, aumentará alfa"

Pág 96. Emisor común
"...un aumento de VCE implica un aumento de la tensión VCB, o lo que eso mismo, estamos aplicando
una mayor polarización inversa a la unión de colector, lo que lleva implícito (como ya
se ha descrito anteriormente) una disminución de la anchura efectiva de la base. Es
decir, el parámetro α disminuye (habrá menos portadores que se recombinan en la base)."

¿Por qué al disminuir la anchura efectiva de la base, en uno aumenta alfa y en el otro disminuye? No me entero...

Voy a ponerme ahora mismo con eso aunque eso me suena en principio algo extraño, en cuanto averigüe algo te comento

Ok! Gracias!

Lolita, es una errata, si disminuyes la longitud efectiva de la base, entonces lo que haces es disminuir el numero de portadores en esa zona, que en este caso son electrones, lo cual implica que los huecos inyectados desde el emisor se recombinan menos en la base, y alcanza el colector en mayor número aumentado así el parámetro alfa, exactamente igual que en base común

Aaahm, ok, pues muchas gracias!!

Dichosas erratas...