mgc escribió:La 10 y la 102 tampoco las comprendo muy bien... Pongo algunas de las dudas que tengo hasta ahora:
130. ¿Qué potencia máxima puede dispersar un transistor
de silicio (Tjmax=200°C) al aire libre a una temperatura
ambiente de 80°C?
1. PD=1W
2. PD=2W 3. PD=3W
4. PD=4W
5. PD=5W
Lolita escribió:La 10 y la 102 tampoco las comprendo muy bien... Pongo algunas de las dudas que tengo hasta ahora:
130. ¿Qué potencia máxima puede dispersar un transistor
de silicio (Tjmax=200°C) al aire libre a una temperatura
ambiente de 80°C?
1. PD=1W
2. PD=2W 3. PD=3W
4. PD=4W
5. PD=5W
58. El resto de la división de 5^166167 por 167 es
1. 165
2. 115
3. 55
4. 25 5. 5
La calculadora se satura con el número y no tengo ni idea de como hacer la división a mano...
74. De un material en el que se cumple la ley de Hooke se
cortan dos muestras rectangulares una de ellas con
los lados dobles que la otra. A ambas se les aplica la
misma fuerza cortante; ¿qué relación hay entre las
deformaciones unitarias de la muestra grande y la
pequeña? 1. 1/4
2. 1/2
3. 4
4. 2
5. 3
La ley de Hooke no dice que \(\delta=\frac{LF}{AE}\)?? Entonces a mi me da la 4...
Gracias soiyo y Lolita!! Vaya, es verdad que lo de Acalon ya no miran si han copiado bien el enunciado... Vaya con lo de la resistencia térmica... el día después del examen voy a empezar a expulsar datos como una loca, jaja
58. El resto de la división de 5^166167 por 167 es
1. 165
2. 115
3. 55
4. 25 5. 5
La calculadora se satura con el número y no tengo ni idea de como hacer la división a mano...
74. De un material en el que se cumple la ley de Hooke se
cortan dos muestras rectangulares una de ellas con
los lados dobles que la otra. A ambas se les aplica la
misma fuerza cortante; ¿qué relación hay entre las
deformaciones unitarias de la muestra grande y la
pequeña? 1. 1/4
2. 1/2
3. 4
4. 2
5. 3
La ley de Hooke no dice que \(\delta=\frac{LF}{AE}\)?? Entonces a mi me da la 4... A ver, seguro que estás metiendo bien los datos en la fórmula? La deformación unitaria es delta/L, que siendo F y E constantes, va como 1/A. Entonces, si la muestra grande tiene los lados doble, su área es el cuádruple de la pequeña. Por tanto, la relación entre sus deformaciones unitearias es A/4A=1/4
158. Se tiene un semiconductor rectangular tipo n. La
longitud es L y la sección es A. Se crea un campo
eléctrico en el interior aplicándole una tensión entre
los extremos del semiconductor. Si se quiere aumentar
la densidad de corriente de electrones al doble....(
señala la opción que no es correcta) 1. Aumentaré el área A al doble
2. Aumentaré la concentración Nd al doble
3. Aumentaré la intensidad del campo eléctrico al doble
4. Disminuiré la longitud L a la mitad
5. 1 y 2
Yo puse la 3, por la L. de Ohm: j=sigma*E. Por otro lado, j=I/S, no me cuadra!
¿Sabéis lo que significan las siglas? Pongo TVL en google y me salen cosas de canales de televisión XD.
235. La formación del Hidrógeno ocurre
1. entre z=1400 y z=1650 2. a un z que depende de la razón de bariones a fotones
3. a z<1400
4. ente z=1650 y z=1900
5. a z>1900
58. El resto de la división de 5^166167 por 167 es
1. 165
2. 115
3. 55
4. 25 5. 5
La calculadora se satura con el número y no tengo ni idea de como hacer la división a mano...
Te dejo esto...http://www.uned.es/ca-bergara/ppropias/ ... umeros.pdf
a mi personalmente me estan hablando en chino!!!
74. De un material en el que se cumple la ley de Hooke se
cortan dos muestras rectangulares una de ellas con
los lados dobles que la otra. A ambas se les aplica la
misma fuerza cortante; ¿qué relación hay entre las
deformaciones unitarias de la muestra grande y la
pequeña? 1. 1/4
2. 1/2
3. 4
4. 2
5. 3
La ley de Hooke no dice que \(\delta=\frac{LF}{AE}\)?? Entonces a mi me da la 4... A ver, seguro que estás metiendo bien los datos en la fórmula? La deformación unitaria es delta/L, que siendo F y E constantes, va como 1/A. Entonces, si la muestra grande tiene los lados doble, su área es el cuádruple de la pequeña. Por tanto, la relación entre sus deformaciones unitearias es A/4A=1/4
158. Se tiene un semiconductor rectangular tipo n. La
longitud es L y la sección es A. Se crea un campo
eléctrico en el interior aplicándole una tensión entre
los extremos del semiconductor. Si se quiere aumentar
la densidad de corriente de electrones al doble....(
señala la opción que no es correcta) 1. Aumentaré el área A al doble
2. Aumentaré la concentración Nd al doble
3. Aumentaré la intensidad del campo eléctrico al doble
4. Disminuiré la longitud L a la mitad
5. 1 y 2
Yo puse la 3, por la L. de Ohm: j=sigma*E. Por otro lado, j=I/S, no me cuadra!
¿Sabéis lo que significan las siglas? Pongo TVL en google y me salen cosas de canales de televisión XD. TVL es el espesor de reduccion que reduce a la decima parte...es similar al HVL pero en lugar de poner ln2 se pone ln10....ahora bien...el resto ni idea....mirare a ver si encuentro algo
235. La formación del Hidrógeno ocurre
1. entre z=1400 y z=1650 2. a un z que depende de la razón de bariones a fotones
3. a z<1400
4. ente z=1650 y z=1900
5. a z>1900
Soiyo, en la 158 te refieres a que crees que está bien la respuesta? Es que como densidad de corriente es intensidad por unidad de superficie, pensé que al aumentar el área la densidad disminuiría. Gracias por la aclaración del TVL, por algo se empieza! Ahora que lo dices, si me suena haberlo visto antes, pero las otras siglas estoy segura de que no.
Bueno chicos, este fin de semana estaré fuera, pero el lunes me meto por si queda alguna duda pendiente que yo sea capaz de resolver. Hasta el lunes!
mgc escribió:Soiyo, en la 158 te refieres a que crees que está bien la respuesta? Es que como densidad de corriente es intensidad por unidad de superficie, pensé que al aumentar el área la densidad disminuiría. Claro, pone que señales la incorrecta, que es la 1. El resto son correctas.
Gracias por la aclaración del TVL, por algo se empieza! Ahora que lo dices, si me suena haberlo visto antes, pero las otras siglas estoy segura de que no.
Bueno chicos, este fin de semana estaré fuera, pero el lunes me meto por si queda alguna duda pendiente que yo sea capaz de resolver. Hasta el lunes!
¿Sabéis lo que significan las siglas? Pongo TVL en google y me salen cosas de canales de televisión XD. TVL es el espesor de reduccion que reduce a la decima parte...es similar al HVL pero en lugar de poner ln2 se pone ln10....ahora bien...el resto ni idea....mirare a ver si encuentro algo
HVL (Half Value Layer)=CHR (Capa hemirreductora)
TVL (Tenth Value Layer)= EDR (Espesor decirreductor)
235. La formación del Hidrógeno ocurre
1. entre z=1400 y z=1650 2. a un z que depende de la razón de bariones a fotones
3. a z<1400
4. ente z=1650 y z=1900
5. a z>1900
carlacc escribió:
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74. De un material en el que se cumple la ley de Hooke se
cortan dos muestras rectangulares una de ellas con
los lados dobles que la otra. A ambas se les aplica la
misma fuerza cortante; ¿qué relación hay entre las
deformaciones unitarias de la muestra grande y la
pequeña? 1. 1/4
2. 1/2
3. 4
4. 2
5. 3
La ley de Hooke no dice que \(\delta=\frac{LF}{AE}\)?? Entonces a mi me da la 4... A ver, seguro que estás metiendo bien los datos en la fórmula? La deformación unitaria es delta/L, que siendo F y E constantes, va como 1/A. Entonces, si la muestra grande tiene los lados doble, su área es el cuádruple de la pequeña. Por tanto, la relación entre sus deformaciones unitearias es A/4A=1/4