Re: Dudas estado sólido
Publicado: 08 Nov 2014, 08:43
pero cuál es la respuesta correcta soiyo, la 3.?
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Re: Dudas estado sólido
Publicado: 08 Nov 2014, 16:26
Lo que yo puse no es una pregunta, son resultados a los que llegue a partir de una pregunta de un examen....
Re: Dudas estado sólido
Publicado: 09 Nov 2014, 15:37
Ah vale, pues me apunto esos 5 guiones. Además NO contradice esta pregunta de un temático de Acalón (de hace unas semanas)
65. En general, en un semiconductor ocurre que:
1. Los huecos tienen mayor masa efectiva que los electrones. (RC) (esta de hecho, es uno de tus 5 guiones)
2. Los huecos tienen mayor movilidad que los electrones. (al parecer esta es falsa, porque si no sería la RC)
3. Las masas efectivas de los electrones y los huecos
tienen signos opuestos. Esta sería cierta si la frase acabará como
... "cuando ambos están en la banda de conducción" ya que (m_efec de eletrones +, m_efec huecos -)
o ..."cuando ambos están en la banda de valencia" (lo contrario).
Pero como no dicen nada, en general esta 3. es falsa, correcto soiyo?
4. La movilidad de los portadores no depende del dopaje.
5. La masa efectiva de los portadores depende del dopaje.
Y estás dos últimas pues deben de ser falsas. Supongo que...
...la movilidad sí depende del dopaje...
y que la masa efectiva no depende del dopaje.
65. En general, en un semiconductor ocurre que:
1. Los huecos tienen mayor masa efectiva que los electrones. (RC) (esta de hecho, es uno de tus 5 guiones)
2. Los huecos tienen mayor movilidad que los electrones. (al parecer esta es falsa, porque si no sería la RC)
3. Las masas efectivas de los electrones y los huecos
tienen signos opuestos. Esta sería cierta si la frase acabará como
... "cuando ambos están en la banda de conducción" ya que (m_efec de eletrones +, m_efec huecos -)
o ..."cuando ambos están en la banda de valencia" (lo contrario).
Pero como no dicen nada, en general esta 3. es falsa, correcto soiyo?
4. La movilidad de los portadores no depende del dopaje.
5. La masa efectiva de los portadores depende del dopaje.
Y estás dos últimas pues deben de ser falsas. Supongo que...
...la movilidad sí depende del dopaje...
y que la masa efectiva no depende del dopaje.
Re: Dudas estado sólido
Publicado: 10 Nov 2014, 11:15
Usuario0410 escribió:Ah vale, pues me apunto esos 5 guiones. Además NO contradice esta pregunta de un temático de Acalón (de hace unas semanas)
65. En general, en un semiconductor ocurre que:
1. Los huecos tienen mayor masa efectiva que los electrones. (RC) (esta de hecho, es uno de tus 5 guiones)
2. Los huecos tienen mayor movilidad que los electrones. (al parecer esta es falsa, porque si no sería la RC)
3. Las masas efectivas de los electrones y los huecos
tienen signos opuestos. Esta sería cierta si la frase acabará como
... "cuando ambos están en la banda de conducción" ya que (m_efec de eletrones +, m_efec huecos -)
o ..."cuando ambos están en la banda de valencia" (lo contrario).
Pero como no dicen nada, en general esta 3. es falsa, correcto soiyo?
Partiendo del hecho de que yo pensaba que las masas efectivas eran positivas....yo creo que las salvedades en el signo de las masas son solo en las bandas....o por lo menos es lo que yo entiendo....
4. La movilidad de los portadores no depende del dopaje. La movilidad depende del dopado (creo que tenia una expresion pero no la encuentro). Al mayor dopado menor movilidad porque hay mas portadores, lo que dificulta el paso de la corriente....
5. La masa efectiva de los portadores depende del dopaje.No encuentro ninguna dependencia con el dopaje...asi que suponemos que no hay....no?
Y estás dos últimas pues deben de ser falsas. Supongo que...
...la movilidad sí depende del dopaje...
y que la masa efectiva no depende del dopaje.
Re: Dudas estado sólido
Publicado: 10 Nov 2014, 12:07
soiyo escribió:Usuario0410 escribió:Ah vale, pues me apunto esos 5 guiones. Además NO contradice esta pregunta de un temático de Acalón (de hace unas semanas)
65. En general, en un semiconductor ocurre que:
1. Los huecos tienen mayor masa efectiva que los electrones. (RC) (esta de hecho, es uno de tus 5 guiones)
2. Los huecos tienen mayor movilidad que los electrones. (al parecer esta es falsa, porque si no sería la RC)
3. Las masas efectivas de los electrones y los huecos
tienen signos opuestos. Esta sería cierta si la frase acabará como
... "cuando ambos están en la banda de conducción" ya que (m_efec de eletrones +, m_efec huecos -)
o ..."cuando ambos están en la banda de valencia" (lo contrario).
Pero como no dicen nada, en general esta 3. es falsa, correcto soiyo?
Partiendo del hecho de que yo pensaba que las masas efectivas eran positivas....yo creo que las salvedades en el signo de las masas son solo en las bandas....o por lo menos es lo que yo entiendo....
Vale, pero entonces concluimos que:
Lo pongo en mayúsculas para verlo rápido en un futuro
================================================
--------------------------BC-------------------BV
electrones.............+.....................Negativa
huecos..................Negativa...........+
=================================================
¿estamos de acuerdo en esto para la masa efectiva no?
4. La movilidad de los portadores no depende del dopaje. La movilidad depende del dopado (creo que tenia una expresion pero no la encuentro
5. La masa efectiva de los portadores depende del dopaje.No encuentro ninguna dependencia con el dopaje...asi que suponemos que no hay....no?
Pues supongo que asi es
Re: Dudas estado sólido
Publicado: 10 Nov 2014, 12:14
Perfecto....a no ser que alguien nos diga lo contrario....jejejje
Re: Dudas estado sólido
Publicado: 10 Nov 2014, 12:26
Re: Dudas estado sólido
Publicado: 12 Nov 2014, 17:35
Dejo una que creo que ya pregunte pero por si se os ilumina ahora:
1.- Considerad la molécula de \(He_{2}\) caracterizada por las constantes a=1,56angstrons y b= 5,6·10^-22 J en el potencial de Lennard-Jones. Calcular la energía del punto cero en la aproximación de oscilador armónico
a) 1,82·10^-3 eV
b) 2,82·10^-3 eV
c) 3,82·10^-3 eV
d) 4,82·10^-3 eV
e) 5,82·10^-3 eV
Gracias
1.- Considerad la molécula de \(He_{2}\) caracterizada por las constantes a=1,56angstrons y b= 5,6·10^-22 J en el potencial de Lennard-Jones. Calcular la energía del punto cero en la aproximación de oscilador armónico
a) 1,82·10^-3 eV
b) 2,82·10^-3 eV
c) 3,82·10^-3 eV
d) 4,82·10^-3 eV
e) 5,82·10^-3 eV
Gracias
Re: Dudas estado sólido
Publicado: 13 Nov 2014, 01:05
No la he resuelto pero intentaló con lo que viene en la wikipedia:
http://es.wikipedia.org/wiki/Potencial_de_Lennard-Jones
Yo utilizaría la sección de fórmulas alternativas, donde está Rmin, y luego el potencial en función Rmin le puedes poner A y B que te dan, haber si hay suerte y te sale
http://es.wikipedia.org/wiki/Potencial_de_Lennard-Jones
Yo utilizaría la sección de fórmulas alternativas, donde está Rmin, y luego el potencial en función Rmin le puedes poner A y B que te dan, haber si hay suerte y te sale
Re: Dudas estado sólido
Publicado: 13 Nov 2014, 12:55
Gracias....ya lo habia intentado pero no llego a nada.... 
Re: Dudas estado sólido
Publicado: 14 Nov 2014, 20:49
Tengo una duda con esta cuestión.
1.- En una base atómica de 5 átomos tenemos:
a) 10 modos normales
b) 5 modos transversales
c) 8 modos ópticos transversales
d) 12 modos acústicos
e) 3 modos acústicos longitudinales
Sé calcular el número de modos opticos y acusticos pero...como se saca el numero de modos transversales y longitudinales???
1.- En una base atómica de 5 átomos tenemos:
a) 10 modos normales
b) 5 modos transversales
c) 8 modos ópticos transversales
d) 12 modos acústicos
e) 3 modos acústicos longitudinales
Sé calcular el número de modos opticos y acusticos pero...como se saca el numero de modos transversales y longitudinales???
Re: Dudas estado sólido
Publicado: 16 Nov 2014, 11:33
Vale pues calculas el número de ramas ópticas
\(3N-3\)
en nuestro caso N=5 luego
\(3(5)-3=12\) ramas ópticas.
Y ahora, por cada 3 ramas ópticas tienes una longitudinal y dos transversales.
Así pues tienes
\(\frac{12}{3}\times 2=8\) (la respuesta correcta).
Si quieres una fórmula para el formulario es esta
\(\text{ramas opticas transversales}=(N-1)\times 2\)
\(3N-3\)
en nuestro caso N=5 luego
\(3(5)-3=12\) ramas ópticas.
Y ahora, por cada 3 ramas ópticas tienes una longitudinal y dos transversales.
Así pues tienes
\(\frac{12}{3}\times 2=8\) (la respuesta correcta).
Si quieres una fórmula para el formulario es esta
\(\text{ramas opticas transversales}=(N-1)\times 2\)
Re: Dudas estado sólido
Publicado: 17 Nov 2014, 12:51
Usuario0410 escribió:Vale pues calculas el número de ramas ópticas
\(3N-3\)
en nuestro caso N=5 luego
\(3(5)-3=12\) ramas ópticas.
Y ahora, por cada 3 ramas ópticas tienes una longitudinal y dos transversales.Esto no lo sabia....no me viene en mi libro de estado sólido....
Así pues tienes
\(\frac{12}{3}\times 2=8\) (la respuesta correcta).
Si quieres una fórmula para el formulario es esta
\(\text{ramas opticas transversales}=(N-1)\times 2\)
Muchas gracias!!!!!
Re: Dudas estado sólido
Publicado: 18 Nov 2014, 18:30
La siguiente la he sacado del oficial 2007
pregunta 202
La longitud de Debye interviene en la solución de la ecuación que relaciona:
1. El número de huecos en el volumen V encerra-dos por una superficie S en un semiconductor uniforme.
2. La movilidad y las constantes de difusión de los portadores en un material dado.
3. La densidad de portadores y el valor del campo eléctrico en un semiconductor, para un modelo unidimensional de material extrínseco. (RC)
4. El producto pn con la concentración de impure-zas del semiconductor.
5. La concentración de portadores y la temperatu-ra, en un semiconductor extrínseco.
A la vista de la fórmula que da wikipedia para la longitud de Debye (en función de T y N_d) yo diría que la RC debería ser la 5 no?
http://en.wikipedia.org/wiki/Debye_leng ... conductors
a no ser que... ¿alguien me podría decir la ecuación en cuya solución aparecer la longitud de Debye de la que hablan en el enunciado?
pregunta 202
La longitud de Debye interviene en la solución de la ecuación que relaciona:
1. El número de huecos en el volumen V encerra-dos por una superficie S en un semiconductor uniforme.
2. La movilidad y las constantes de difusión de los portadores en un material dado.
3. La densidad de portadores y el valor del campo eléctrico en un semiconductor, para un modelo unidimensional de material extrínseco. (RC)
4. El producto pn con la concentración de impure-zas del semiconductor.
5. La concentración de portadores y la temperatu-ra, en un semiconductor extrínseco.
A la vista de la fórmula que da wikipedia para la longitud de Debye (en función de T y N_d) yo diría que la RC debería ser la 5 no?
http://en.wikipedia.org/wiki/Debye_leng ... conductors
a no ser que... ¿alguien me podría decir la ecuación en cuya solución aparecer la longitud de Debye de la que hablan en el enunciado?
Re: Dudas estado sólido
Publicado: 18 Nov 2014, 19:10
Usuario0410 escribió:La siguiente la he sacado del oficial 2007
pregunta 202
La longitud de Debye interviene en la solución de la ecuación que relaciona:
1. El número de huecos en el volumen V encerra-dos por una superficie S en un semiconductor uniforme.
2. La movilidad y las constantes de difusión de los portadores en un material dado.
3. La densidad de portadores y el valor del campo eléctrico en un semiconductor, para un modelo unidimensional de material extrínseco. (RC)
4. El producto pn con la concentración de impure-zas del semiconductor.
5. La concentración de portadores y la temperatu-ra, en un semiconductor extrínseco.
A la vista de la fórmula que da wikipedia para la longitud de Debye (en función de T y N_d) yo diría que la RC debería ser la 5 no?
http://en.wikipedia.org/wiki/Debye_leng ... conductors
a no ser que... ¿alguien me podría decir la ecuación en cuya solución aparecer la longitud de Debye de la que hablan en el enunciado?
Ojo, ten en cuenta que te dicen en la solucion de que ecuacion....es decir, no te preguntan que es lo que relaciona la longitud de debye (que ahi si es correcta la 5) sino que despues de resolver que ecuacion aparece esa longitud en la solucion....no se si ves la diferencia....o aun te he hecho el lio mayor....