218)Un sistema de detección está formado por 3 detectores idénticos, cada uno de los cuales tiene una eficiencia de dteteccion del 80%. El sistema se programa de manera q solo acepta la medida cuando al menos 2 de los 3 detectores registran una señal. ¿Cuál es la eficiencia de deteccion del sistema?
1)96%
2)89.6%
3)90.4%
4)64%
5)38.4%
La buena es la 2º pero yo no sé ni por donde cojer esta pregunta. Alguna idea?
Gracias!
222) Una lamina de un semiconductor de tipo n tiene una densidad de portadores de n=10E18 m^-3. Si se le aplica un campo electrico de 2*10E5V/m en su superficie, calcule la anchura de la zona de vaciado de portadores:Permitividad del vacio: 8.85E-12 F/m, Carga del electron : 1.6E-19
1)10^-19 m
2) 5*10-19 m
3)120 nm
4) 5 micras
5)11 micras
La respuesta buena es la 5) 11 micras.
Alguna idea de como se hace?
Gracias!
OFICIAL 2009 PreguntaS 218,222
Moderador: Alberto
Re: OFICIAL 2009 PreguntaS 218,222
acasmu escribió:218)Un sistema de detección está formado por 3 detectores idénticos, cada uno de los cuales tiene una eficiencia de dteteccion del 80%. El sistema se programa de manera q solo acepta la medida cuando al menos 2 de los 3 detectores registran una señal. ¿Cuál es la eficiencia de deteccion del sistema?
1)96%
2)89.6%
3)90.4%
4)64%
5)38.4%
La buena es la 2º pero yo no sé ni por donde cojer esta pregunta. Alguna idea?
Gracias!
Veamos las posibilidades que tenemos para que la radiación detectada:
1)
Supongamos el primer detetor detecta, esto pasa 80%, entonces tengo dos posbilidades:
a) que el segundo detecte esto 80% de esas 80% primeras es decir: 64%
b) que el segundo no detecte, que pasa el 20% de esas 80% primeras y por tanto el tercero tiene que detectar que esto pasa el 80% del 20% de las 80% primeras: 12.8%
2)
Suponiendo que el primero no la detecta, esto pasa el 20%, la única posibilidad es que en los dos detectores se detécte esto pasa el 80% del 80% del 20% primero: 12.8%
Sumando los tres casos obtenemos: 89,6%
acasmu escribió: 222) Una lamina de un semiconductor de tipo n tiene una densidad de portadores de n=10E18 m^-3. Si se le aplica un campo electrico de 2*10E5V/m en su superficie, calcule la anchura de la zona de vaciado de portadores:Permitividad del vacio: 8.85E-12 F/m, Carga del electron : 1.6E-19
1)10^-19 m
2) 5*10-19 m
3)120 nm
4) 5 micras
5)11 micras
La respuesta buena es la 5) 11 micras.
Alguna idea de como se hace?
Gracias!
La zona de deplexión o de carga especial se define como:
\(W_Z=\sqrt{\frac{2\epsilon V_0}{e}\left(\frac{1}{N_A}+\frac{1}{N_D}\right)}\)
Re: OFICIAL 2009 PreguntaS 218,222
Muchas gracias Iedes83. Muy bien explicada la de los detectrores aunque ya me la miraré con más tranquilidad.
Sin embargo, en la 222 no ´se cómo sacas los valores para esa fórmula: Te dan el campo electrico y numero total de poprtadores, de ahí ¿cómo puedo sacar V si no me dan nada más? ¿Y Nd y Na?¿Se supone que son ambas igual a n/2?
Un saludo!
Sin embargo, en la 222 no ´se cómo sacas los valores para esa fórmula: Te dan el campo electrico y numero total de poprtadores, de ahí ¿cómo puedo sacar V si no me dan nada más? ¿Y Nd y Na?¿Se supone que son ambas igual a n/2?
Un saludo!