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[Alonso]

En esta la respuesta correcta no es la 1?

Para un semiconductor intrinseco n=p y por tanto EF=(Ev-Ec)/2.Por lo que es independiente de la temperatura.
Su dependencia lineal aparece en semiconductores extrínsecos no?

[Carlosfisi]

No, la respuesta es correcta. Puedes buscar un montón de libros, pero en todos te va a venir que es lineal con la temperatura, asique concentra tu tiempo en otras que sí puedas tener algo que rascar
Como adelanto, te cuento que viene de que la concentración de portadores es

n=Nc Exp[Ef-Ec/KbT] Si despejas Ef, te sale Ef=Ec+KbT ln[n/Nc]

[Alonso]

Esa xpresion que pones Carlos es para semiconductor extrínseco porque si no ya me dirás que quiere decir un Nd en un semiconductor intrínseco que no posee impurezas.

Hay que rascar de donde se pueda. Ami no me va a beneficiar mucho pero al César lo que es del César.

[Carlosfisi]

Como verás, no pone Nd, que es concentración de impurezas donadoras, sino Nc, que es un parámetro que caracteriza la banda de conducción de los semiconductores intrínsecos, y viene dado básicamente por la masa efectiva de los portadores, asique precisamente la ecuación que he puesto vale para intrínsecos.
Al César lo que es del César

[Alonso]

Ahi me has dao!

Había leído mal tu respuesta.

[Alonso]

P.D.- No me llamo César.

[Carlosfisi]

jajaja, yo tampoco. Esperemos que no haya ningún César presentado y le estemos dando puntos jajajaja