Buenas! alguien puede decirme por que en un semiconductor extrínseco la concentración de huecos(p) varia tanto con la temperatura mientras que la concnentración de electrones(n) se mantiene constante ??
Y por que la concentración de huecos a T ambiente en extrinsecos es ordenes de magnitud mas pequeña que la concetracion intrinseca??
Primero habría que saber de que tipo de semiconductor extrinseco se trata . Por lo que a la primera pregunta respecta creo que te refieres a un semiconductor extrinseco tipo N . Un semiconductor tipo N tiene impurezas donadoras de electrones . Esas impurezas a la temperatura ambiente se ionizan aportando electrones extras a la banda de conduccion . La concentracion de electrones aportados es mucho mayor q la concentracion de electrones de un semic. intrinseco (6 ordenes de magnitud mas). La conc de electrones es igual a la concentracion de impurezas , n = Nd = Nd+ ( impurezas ionizadas ) . Existe una relacion . n.p = ni^2 . La conc de e- por la conc de h+ de cualquier semic es igual a la conc intrinseca a esa temperatura al cuadrado . En un tipo n , n = Nd = cte . Si aumentamos la Tª , ni aumenta y por lo tanto p , tiene q disminuir . Esto claro , es valido mientras el rango de Tª sea tal que la ni <Nd>> ni, n = ni*ni / Na ( >>ni ) , se ve q n es mucho menor q ni a esa Tª .
si, me refiero a un tipo N.
Muchas gracias por tu respuesta.
Y por que en un rango aprox de 60K me sale que hay una variación muy peuqeña de la concentracion de electrones y una gran variacion en el nivel de fermi?