General 2

Foro de discusion Sobre RFH

Moderador: Alberto

kuri
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Re: General 2

Mensaje por kuri »

notwen_88 escribió:225.Sobre el coeficiente de atenuación másico, puede afirmarse que:

1.Se usa para cuantificar la atenuación de materiales independiente de su estado físico.
2.La unidad del coeficiente de atenuación másico es el g/cm2
3.Se obtiene dividiendo el coeficiente de atenuación lineal por la densidad del absorbente
4.La unidad del coeficiente de atenuación másico es cm2g.
5.Se usa para cuantificar la atenuación de materiales dependiendo de su estado físico.

Y la 3¿? Es la definición
Cierto, la 3 es la definición así que sería anulable
rhalbert00
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Re: General 2

Mensaje por rhalbert00 »

notwen_88 escribió:165.Un cristal semiconductor de silicio intrínseco:

1.No tiene ningún tipo de impurezas.
2.Tiene una conductividad menor que la del diamante.
3.Tiene muchas más impurezas donadoras que aceptadoras.
4.Tiene una conductividad mucho mayor que la de un cristal de Si tipo P.
5.Tiene una resistividad mucho mayor que la de un cristal de Si tipo N.

La 1 también es correctísima, por definición de semiconductor intrínseco, o no¿?
Así es. Por citar una de tantas fuentes en la que esto se puede corroborar, el siguiente enlace corresponde al glosario del tema 2 del libro de acceso libre "Principles of Semiconductor Devices", B. Van Zeghbroeck, 2011, en el que aparece la definición de Semiconductor Intrínseco.
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/boo ... /ch2_g.htm

La cual tenemos que es:
"Intrinsic semiconductor: A semiconductor free of defects or impurities"

Por lo tanto, la opción número 1 debe de ser correcta.
notwen_88
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Re: General 2

Mensaje por notwen_88 »

rhalbert00 escribió:
notwen_88 escribió:165.Un cristal semiconductor de silicio intrínseco:

1.No tiene ningún tipo de impurezas.
2.Tiene una conductividad menor que la del diamante.
3.Tiene muchas más impurezas donadoras que aceptadoras.
4.Tiene una conductividad mucho mayor que la de un cristal de Si tipo P.
5.Tiene una resistividad mucho mayor que la de un cristal de Si tipo N.

La 1 también es correctísima, por definición de semiconductor intrínseco, o no¿?
Así es. Por citar una de tantas fuentes en la que esto se puede corroborar, el siguiente enlace corresponde al glosario del tema 2 del libro de acceso libre "Principles of Semiconductor Devices", B. Van Zeghbroeck, 2011, en el que aparece la definición de Semiconductor Intrínseco.
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/boo ... /ch2_g.htm

La cual tenemos que es:
"Intrinsic semiconductor: A semiconductor free of defects or impurities"

Por lo tanto, la opción número 1 debe de ser correcta.
Gracias por tu aportación! Hasta dónde yo sé, la 1 es la correcta. Existe otro caso en el que las concentraciones de donadores y aceptores sean iguales y, aunque el comportamiento sea el de un intrínseco, no recibe ese nombre sino que se llama semiconductor compensado. Venga va, que si todo va bien, en dos años conseguimos que el administrador preste atención a nuestras reclamaciones :mrgreen:
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soiyo
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Re: General 2

Mensaje por soiyo »

notwen_88 escribió:
rhalbert00 escribió:
notwen_88 escribió:165.Un cristal semiconductor de silicio intrínseco:

1.No tiene ningún tipo de impurezas.
2.Tiene una conductividad menor que la del diamante.
3.Tiene muchas más impurezas donadoras que aceptadoras.
4.Tiene una conductividad mucho mayor que la de un cristal de Si tipo P.
5.Tiene una resistividad mucho mayor que la de un cristal de Si tipo N.

La 1 también es correctísima, por definición de semiconductor intrínseco, o no¿?
Así es. Por citar una de tantas fuentes en la que esto se puede corroborar, el siguiente enlace corresponde al glosario del tema 2 del libro de acceso libre "Principles of Semiconductor Devices", B. Van Zeghbroeck, 2011, en el que aparece la definición de Semiconductor Intrínseco.
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/boo ... /ch2_g.htm

La cual tenemos que es:
"Intrinsic semiconductor: A semiconductor free of defects or impurities"

Por lo tanto, la opción número 1 debe de ser correcta.
Gracias por tu aportación! Hasta dónde yo sé, la 1 es la correcta. Existe otro caso en el que las concentraciones de donadores y aceptores sean iguales y, aunque el comportamiento sea el de un intrínseco, no recibe ese nombre sino que se llama semiconductor compensado. Venga va, que si todo va bien, en dos años conseguimos que el administrador preste atención a nuestras reclamaciones :mrgreen:

Ojo con esta....te estan hablando de un cristal, no un material....los cristales por definicion tienen algun tipo de impurezas...
La 1 seria correcta si te hablasen de un material SC intrinseco...pero estan diciendo cristal...

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Re: General 2

Mensaje por soiyo »

notwen_88 escribió:70.Dos partículas A y B que se mueven en movimiento unidimensional sobre el eje OX parten del origen. La partícula A parte en t = 0 con velocidad VA(0) = 10m/s. La partícula B parte en t = 1s con velocidad VB (1) = -10m/s. Ambas desaceleran con aceleración de magnitud a = 6m/s2. Determine la máxima distancia entre ellas antes que se crucen.

1.25,887 m
2.76,184 m
3.75,786 m
4.23,163 m
5.15,167 m

No comprendo cómo se pueden cruzar, siendo una de las velocidades de sentido opuesto, no lo veo

Lo encontre resuelto aqui http://facultad.bayamon.inter.edu/omeza ... Solved.pdf
es el ejercio 6.13
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Re: General 2

Mensaje por soiyo »

notwen_88 escribió:47.De un resorte cuelga una masa de 0,7 kg. Posteriormente añadimos una masa de 0,3 kg y el resorte se alarga 3 cm. Al quitar la masa más pequeña, el resorte y la primera masa comienzan a oscilar. ¿Cuál es la frecuencia de oscilación?

1.3,76 Hz.
2.1,88 Hz.
3.11,8 Hz.
4.0,94 Hz.
5.2,95 Hz.

Tienes que partir del hecho de que el resorte mas la masa de 0,7kg esta en equilibrio. (y lo tomas como un todo). Ahora al añadir la masa de 0,3kg es cuando se estira y llega a un nuevo eq. Es en este momento cuando la fuerza gravitatoria y la elástica se igualan: kx=mg, de aqui sacas la constante del muelle k (ojo! recuerda que la masa es de 0,3kg)
Ahora para calcular la frecuencia despues de retirar la masa de 0,3kg, tienes que \(\omega =\sqrt{\frac{k}{m}}\rightarrow 2\pi \nu =\sqrt{\frac{k}{m}}\)...pones el valor de k y la masa de 0,7 kg y sale clavaita la respuesta
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Mensaje por rhalbert00 »

soiyo escribió:
notwen_88 escribió:
rhalbert00 escribió:
Así es. Por citar una de tantas fuentes en la que esto se puede corroborar, el siguiente enlace corresponde al glosario del tema 2 del libro de acceso libre "Principles of Semiconductor Devices", B. Van Zeghbroeck, 2011, en el que aparece la definición de Semiconductor Intrínseco.
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/boo ... /ch2_g.htm

La cual tenemos que es:
"Intrinsic semiconductor: A semiconductor free of defects or impurities"

Por lo tanto, la opción número 1 debe de ser correcta.
Gracias por tu aportación! Hasta dónde yo sé, la 1 es la correcta. Existe otro caso en el que las concentraciones de donadores y aceptores sean iguales y, aunque el comportamiento sea el de un intrínseco, no recibe ese nombre sino que se llama semiconductor compensado. Venga va, que si todo va bien, en dos años conseguimos que el administrador preste atención a nuestras reclamaciones :mrgreen:

Ojo con esta....te estan hablando de un cristal, no un material....los cristales por definicion tienen algun tipo de impurezas...
La 1 seria correcta si te hablasen de un material SC intrinseco...pero estan diciendo cristal...

Me remito al glosario del mismo enlace que adjunté, en el que aparece la definición de cristal:
"Crystal: A solid which consists of atoms placed in a periodic arrangment"

No veo por ningún lado que se hable nada de que por definición de cristal ya tenga que poseer algún tipo de impurezas como afirmas.

Por otro lado, en cualquier fuente que consultes en el ámbito de la Física de Semiconductores, no se menciona nunca que por ser un cristal implique directamente que tenga presentes impurezas. De hecho el cristal del material, que bien puede ser Si o Ge, u otro material, se vuelve extrínseco al añadir dichas impurezas. Te ajunto un par de enlaces que he encontrado a bote pronto en donde puedes contrastar lo que digo.

En el primero de ellos, el cual es el siguiente: http://www.info-ab.uclm.es/labelec/Sola ... ctores.htm

Si lo lees, hay un fragmento en el se dice:

"Pero hasta ahora sólo hemos hablado del cristal de silicio intrínseco (es decir, el cristal de silicio puro, sin impurezas añadidas). En este tipo de material siempre se cumple que n=p, por lo que suele hablarse de una concentración intrínseca ni. ¿Qué ocurre exactamente cuando añadimos impurezas de fósforo o de boro?"


En la misma Wikipedia, en su artículo sobre semiconductores : http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor

Al realizar la definición de Semiconductor intrínseco dice:

"Semiconductores intrínsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad"


Por otro lado en la de Semiconductor extrínseco dice:

"Semiconductores extrínsecos
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado."
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Re: General 2

Mensaje por soiyo »

notwen_88 escribió:67.Un sistema puede tener:

1.Energía cinética nula y momento no nulo.
2.Energía cinética nula, por lo que necesariamente el momento será nulo.
3.Momento nulo y energía cinética no nula.
4.2 y 3.
5.1 y 3.

No veo por qué es la número 4, yo sigo pensando que es la número 2
La 2 estoy de acuerdo en que es correcta...
Ahora bien se me ha ocurrido una cosa (tal vez una burrada) y si en sistema el momento se refiere al momento resultante de todas las particulas (y ese puede ser cero) pero si coges una determinada particula y le calculas su E cinetica, esta es distinta de cero??
No sé cómo lo ves.... :?:
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Re: General 2

Mensaje por soiyo »

rhalbert00 escribió:
soiyo escribió:
notwen_88 escribió:
Así es. Por citar una de tantas fuentes en la que esto se puede corroborar, el siguiente enlace corresponde al glosario del tema 2 del libro de acceso libre "Principles of Semiconductor Devices", B. Van Zeghbroeck, 2011, en el que aparece la definición de Semiconductor Intrínseco.
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/boo ... /ch2_g.htm

La cual tenemos que es:
"Intrinsic semiconductor: A semiconductor free of defects or impurities"

Por lo tanto, la opción número 1 debe de ser correcta.
Gracias por tu aportación! Hasta dónde yo sé, la 1 es la correcta. Existe otro caso en el que las concentraciones de donadores y aceptores sean iguales y, aunque el comportamiento sea el de un intrínseco, no recibe ese nombre sino que se llama semiconductor compensado. Venga va, que si todo va bien, en dos años conseguimos que el administrador preste atención a nuestras reclamaciones :mrgreen:

Ojo con esta....te estan hablando de un cristal, no un material....los cristales por definicion tienen algun tipo de impurezas...
La 1 seria correcta si te hablasen de un material SC intrinseco...pero estan diciendo cristal...

Me remito al glosario del mismo enlace que adjunté, en el que aparece la definición de cristal:
"Crystal: A solid which consists of atoms placed in a periodic arrangment"

No veo por ningún lado que se hable nada de que por definición de cristal ya tenga que poseer algún tipo de impurezas como afirmas.

Por otro lado, en cualquier fuente que consultes en el ámbito de la Física de Semiconductores, no se menciona nunca que por ser un cristal implique directamente que tenga presentes impurezas. De hecho el cristal del material, que bien puede ser Si o Ge, u otro material, se vuelve extrínseco al añadir dichas impurezas. Te ajunto un par de enlaces que he encontrado a bote pronto en donde puedes contrastar lo que digo.

En el primero de ellos, el cual es el siguiente: http://www.info-ab.uclm.es/labelec/Sola ... ctores.htm

Si lo lees, hay un fragmento en el se dice:

"Pero hasta ahora sólo hemos hablado del cristal de silicio intrínseco (es decir, el cristal de silicio puro, sin impurezas añadidas). En este tipo de material siempre se cumple que n=p, por lo que suele hablarse de una concentración intrínseca ni. ¿Qué ocurre exactamente cuando añadimos impurezas de fósforo o de boro?"


En la misma Wikipedia, en su artículo sobre semiconductores : http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor

Al realizar la definición de Semiconductor intrínseco dice:

"Semiconductores intrínsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad"


Por otro lado en la de Semiconductor extrínseco dice:

"Semiconductores extrínsecos
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado."


Si le echas un ojo a esto http://www.v-espino.com/~tecnologia/tec ... talina.pdf
te indica que los cristales no son perfectos y que tienen imperfecciones, de ahi que no se puedan consideran intrinsecos.

[/quote]
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Mensaje por soiyo »

notwen_88 escribió:95.¿Qué es la autoinducción? Señale la FALSA.

1.Es el coeficiente que relaciona el flujo magnético que atraviesa el circuito, debido al campo creado por su propia corriente, con la intensidad.
2.Fenómeno por el cual se produce f.e.m. de inducción, al variar el flujo magnético que atraviesa un circuito, cuando dicho flujo es debido al campo magnético externo.
3.Coeficiente L de un circuito.
4.Fenómeno por el cual se produce f.e.m. de inducción, al variar el flujo magnético que atraviesa un circuito, cuando dicho flujo es el producido por la corriente del propio circuito.
5.Todas son falsas.

La 5 también es falsa, pues es mentira que todas sean falsas. Por cierto Ácalon, no saquéis más preguntas de rincondelvago.com, no es una fuente muy fiable (lo digo por la pregunta 93) :D

La verdad es que es buscarle mucha puntilla....la 2 es falsa y punto...cuando te pongan algo asi, la opcion de todas son falsa nunca se suele considerar falsa :mrgreen: :mrgreen:
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Re: General 2

Mensaje por rhalbert00 »

soiyo escribió:
soiyo escribió:

Ojo con esta....te estan hablando de un cristal, no un material....los cristales por definicion tienen algun tipo de impurezas...
La 1 seria correcta si te hablasen de un material SC intrinseco...pero estan diciendo cristal...

Me remito al glosario del mismo enlace que adjunté, en el que aparece la definición de cristal:
"Crystal: A solid which consists of atoms placed in a periodic arrangment"

No veo por ningún lado que se hable nada de que por definición de cristal ya tenga que poseer algún tipo de impurezas como afirmas.

Por otro lado, en cualquier fuente que consultes en el ámbito de la Física de Semiconductores, no se menciona nunca que por ser un cristal implique directamente que tenga presentes impurezas. De hecho el cristal del material, que bien puede ser Si o Ge, u otro material, se vuelve extrínseco al añadir dichas impurezas. Te ajunto un par de enlaces que he encontrado a bote pronto en donde puedes contrastar lo que digo.

En el primero de ellos, el cual es el siguiente: http://www.info-ab.uclm.es/labelec/Sola ... ctores.htm

Si lo lees, hay un fragmento en el se dice:

"Pero hasta ahora sólo hemos hablado del cristal de silicio intrínseco (es decir, el cristal de silicio puro, sin impurezas añadidas). En este tipo de material siempre se cumple que n=p, por lo que suele hablarse de una concentración intrínseca ni. ¿Qué ocurre exactamente cuando añadimos impurezas de fósforo o de boro?"


En la misma Wikipedia, en su artículo sobre semiconductores : http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor

Al realizar la definición de Semiconductor intrínseco dice:

"Semiconductores intrínsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad"


Por otro lado en la de Semiconductor extrínseco dice:

"Semiconductores extrínsecos
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado."


Si le echas un ojo a esto http://www.v-espino.com/~tecnologia/tec ... talina.pdf
te indica que los cristales no son perfectos y que tienen imperfecciones, de ahi que no se puedan consideran intrinsecos.

[/quote][/quote]

Cuando se habla de semiconductores como bien puede ser un cristal de Si puro, automáticamente se está refiriendo a que es intrínseco.

Aquí de nuevo tienes un enlace de la Universidad de Valencia, y otro de una lista de problemas de Semiconductores de la Universidad Autónoma de Madrid:
PDF muy completo explicándolo detalladamente:
http://www.tel.uva.es/descargar.htm;jse ... 0?id=18722

"En un cristal de silicio intrínseco (puro), cada átomo se posiciona formando una
especie de retícula, con cuatro átomos cercanos. Cada par de átomos cercanos forma
un enlace covalente, consistente en dos electrones que orbitan alrededor del par"[/b]

Lista de problemas:
http://saturno.fmc.uam.es/web/solidoII/ ... emas_2.pdf

Otra forma definición de Semiconductor Intrínseco que he hallado: Un semiconductor intrínseco es aquel semiconductor que no posee impurezas en la red cristalina.
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soiyo
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Re: General 2

Mensaje por soiyo »

rhalbert00 escribió:
soiyo escribió:
soiyo escribió:

Ojo con esta....te estan hablando de un cristal, no un material....los cristales por definicion tienen algun tipo de impurezas...
La 1 seria correcta si te hablasen de un material SC intrinseco...pero estan diciendo cristal...

Me remito al glosario del mismo enlace que adjunté, en el que aparece la definición de cristal:
"Crystal: A solid which consists of atoms placed in a periodic arrangment"

No veo por ningún lado que se hable nada de que por definición de cristal ya tenga que poseer algún tipo de impurezas como afirmas.

Por otro lado, en cualquier fuente que consultes en el ámbito de la Física de Semiconductores, no se menciona nunca que por ser un cristal implique directamente que tenga presentes impurezas. De hecho el cristal del material, que bien puede ser Si o Ge, u otro material, se vuelve extrínseco al añadir dichas impurezas. Te ajunto un par de enlaces que he encontrado a bote pronto en donde puedes contrastar lo que digo.

En el primero de ellos, el cual es el siguiente: http://www.info-ab.uclm.es/labelec/Sola ... ctores.htm

Si lo lees, hay un fragmento en el se dice:

"Pero hasta ahora sólo hemos hablado del cristal de silicio intrínseco (es decir, el cristal de silicio puro, sin impurezas añadidas). En este tipo de material siempre se cumple que n=p, por lo que suele hablarse de una concentración intrínseca ni. ¿Qué ocurre exactamente cuando añadimos impurezas de fósforo o de boro?"


En la misma Wikipedia, en su artículo sobre semiconductores : http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor

Al realizar la definición de Semiconductor intrínseco dice:

"Semiconductores intrínsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad"


Por otro lado en la de Semiconductor extrínseco dice:

"Semiconductores extrínsecos
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado."


Si le echas un ojo a esto http://www.v-espino.com/~tecnologia/tec ... talina.pdf
te indica que los cristales no son perfectos y que tienen imperfecciones, de ahi que no se puedan consideran intrinsecos.
[/quote]

Cuando se habla de semiconductores como bien puede ser un cristal de Si puro, automáticamente se está refiriendo a que es intrínseco.

Aquí de nuevo tienes un enlace de la Universidad de Valencia, y otro de una lista de problemas de Semiconductores de la Universidad Autónoma de Madrid:
PDF muy completo explicándolo detalladamente:
http://www.tel.uva.es/descargar.htm;jse ... 0?id=18722

"En un cristal de silicio intrínseco (puro), cada átomo se posiciona formando una
especie de retícula, con cuatro átomos cercanos. Cada par de átomos cercanos forma
un enlace covalente, consistente en dos electrones que orbitan alrededor del par"[/b]

Lista de problemas:
http://saturno.fmc.uam.es/web/solidoII/ ... emas_2.pdf

La verdad es que si estoy segura de la siguiente frase: " Se considera cristal aquel material que tiene una impureza cada 10^8 átomos de sustancia". Recuerdo que me la dijo una persona que controlaba muchisimo electronica.
Es más, te digo, esta pregunta es del oficial de 1995 y la correcta es la 5.
Si te he convencido,bien; si no, mala suerte. Yo me quedo con mi definicion de cristal :lol:

[/quote]
notwen_88
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Re: General 2

Mensaje por notwen_88 »

soiyo escribió:
notwen_88 escribió:70.Dos partículas A y B que se mueven en movimiento unidimensional sobre el eje OX parten del origen. La partícula A parte en t = 0 con velocidad VA(0) = 10m/s. La partícula B parte en t = 1s con velocidad VB (1) = -10m/s. Ambas desaceleran con aceleración de magnitud a = 6m/s2. Determine la máxima distancia entre ellas antes que se crucen.

1.25,887 m
2.76,184 m
3.75,786 m
4.23,163 m
5.15,167 m

No comprendo cómo se pueden cruzar, siendo una de las velocidades de sentido opuesto, no lo veo

Lo encontre resuelto aqui http://facultad.bayamon.inter.edu/omeza ... Solved.pdf
es el ejercio 6.13
Sii, ya lo he hecho, es una trampa lo de los signos de las aceleraciones, gracias crack!
notwen_88
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Re: General 2

Mensaje por notwen_88 »

soiyo escribió:
notwen_88 escribió:67.Un sistema puede tener:

1.Energía cinética nula y momento no nulo.
2.Energía cinética nula, por lo que necesariamente el momento será nulo.
3.Momento nulo y energía cinética no nula.
4.2 y 3.
5.1 y 3.

No veo por qué es la número 4, yo sigo pensando que es la número 2
La 2 estoy de acuerdo en que es correcta...
Ahora bien se me ha ocurrido una cosa (tal vez una burrada) y si en sistema el momento se refiere al momento resultante de todas las particulas (y ese puede ser cero) pero si coges una determinada particula y le calculas su E cinetica, esta es distinta de cero??
No sé cómo lo ves.... :?:
Si, llevas razón, aliciamartin me ha abierto los ojos con esta ya hace unos días :mrgreen:
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Re: General 2

Mensaje por notwen_88 »

soiyo escribió:
notwen_88 escribió:47.De un resorte cuelga una masa de 0,7 kg. Posteriormente añadimos una masa de 0,3 kg y el resorte se alarga 3 cm. Al quitar la masa más pequeña, el resorte y la primera masa comienzan a oscilar. ¿Cuál es la frecuencia de oscilación?

1.3,76 Hz.
2.1,88 Hz.
3.11,8 Hz.
4.0,94 Hz.
5.2,95 Hz.

Tienes que partir del hecho de que el resorte mas la masa de 0,7kg esta en equilibrio. (y lo tomas como un todo). Ahora al añadir la masa de 0,3kg es cuando se estira y llega a un nuevo eq. Es en este momento cuando la fuerza gravitatoria y la elástica se igualan: kx=mg, de aqui sacas la constante del muelle k (ojo! recuerda que la masa es de 0,3kg)
Ahora para calcular la frecuencia despues de retirar la masa de 0,3kg, tienes que \(\omega =\sqrt{\frac{k}{m}}\rightarrow 2\pi \nu =\sqrt{\frac{k}{m}}\)...pones el valor de k y la masa de 0,7 kg y sale clavaita la respuesta
Vale...mi error venia del cálculo de la constante k, estaba considerando las dos masas... :bom:
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