Tematico 31

Foro de discusion Sobre RFH

Moderador: Alberto

Responder
Checa
B
Mensajes: 47
Registrado: 06 Dic 2009, 19:15

Tematico 31

Mensaje por Checa »

Ya se que estamos con la resaca del simulacro, pero bueno...a ver si alguien me ayuda:


4. Señala cual de las siguientes afirmaciones sobre
semiconductores extrínsecos es la correcta
1. El nivel de Fermi se aleja más de Ei cuanto mayor sea
la concentración de dopantes

2. La carga neta del semiconductor es negativa para los
dopados tipo n y positiva para los tipo p
3. Las masas efectivas de electrones y huecos son
diferentes
4. No existe generación térmica de electrones y huecos,
sino sólo por dopantes
5. El nivel de Fermi se aleja más de Ei cuanto menor sea
la concentración de dopantes


La 2 y la 3 no son ciertas? n son electrones negativa, p huecos positiva, y las masas efectivas de electrones (segun mis apuntes) son menores que las de huecos


5. El módulo de Young es un parámetro característico de
cada material y que está relacionado con la resistencia
de éste a los esfuerzos de:
1. Tracción
2. Cizalladura
3. Compresión
4. Torsión
5. Abrasión

el modulo de young es para traccion y compresion, existe otro que es el modulo de cizalladura

33. Una de las siguientes características no corresponde
al termistor:
1. Se basa en que al variar la temperatura varía la
resistencia.
2. Al aumentar la temperatura disminuye la resistencia.
3. Es muy preciso.
4. Para medir la temperatura se mide la resistencia de un
metal.

5. Ninguna corresponde al termistor.

"Un termistor es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento se basa en la variación de la resistividad que presenta un semiconductor con la temperatura. El término termistor proviene de Thermally Sensitive Resistor"
Yo creo que si es una caracteristica q corresponde

51. Una característica común a la teoría de Einstein y a
la teoría de Debye del calor específico de los sólidos
es que:
1. La energía media de cada átomo es 3kT.
2. La energía vibracional del cristal es equivalente a la
energía de 3N, osciladores armónicos independientes.

3. El cristal se considera continuo para las ondas
elásticas.
4. La velocidad de las ondas elásticas transversales es
mayor que la de las longitudinales.
5. La frecuencia de corte superior para las ondas
elásticas es la misma

La opcion 2 no es solo para el modelo de einstein???

63. ¿Cuál de los siguientes filtros presenta una fase
aproximadamente lineal?
1. Butterworth.
2. Chebyshev.
3. Elíptico.
4. Bessel.
5. RC.

Yo tenia entendido que el que tiene la fase mas lineal es el butterworth

122. Una fuente real de tensión es un sistema que
proporciona:
1. Un valor de tensión independiente de la intensidad
que circula por ella.
2. Una intensidad variable con independencia de la
tensión entre sus bornes.
3. Una determinada tensión independiente del tiempo.
4. Una potencia prácticamente nula.
5. Un valor de tensión que depende de la intensidad
que circula por ella.


No deberia ser constante la tension??? ser independiente de la intensidad

124. Utilizando un formato IEEE 754 de 16 bits (igual
que el de 32 bits pero con sólo 7 bits para el campo
de mantisa) el código que representa más
aproximadamente al número decimal -2’5034•10-5
es:
1. B869
2. B7FA
3. B8A6
4. B7D2

5. B3C8


Lo he intentado mil veces y no me da ni de coña, a alguien le sale???

146. La capacidad de transición de una unión P-N
gradual en polarización inversa es:
1. Independiente de la anchura de la zona de transición.
2. Proporcional a la anchura de la zona de transición.
3. Inversamente proporcional a la anchura de la zona
de transición.

4. Inversamente proporcional al cuadrado de la anchura
de la zona de transición.
5. Inversamente proporcional a la raíz cuadrada de la
anchura de la zona de transición.

La formula que tengo yo de la capacidad de transicion en polarizacion inversa es:

C= Co / (1+ (Vr/Vk))^n, siendo Vk la barrera de potencial de la union del diodo.
Si Vk aumenta, (Vr/Vk) disminuye, y el denominador disminuye, por lo que aumenta la capacidad, no deberia ser proporcional en ese caso????

Animo a todos!!!!
zonum
Li
Mensajes: 27
Registrado: 22 Oct 2010, 00:14

Re: Tematico 31

Mensaje por zonum »

Hola Checa,
yo creo que la 33 te ponen que es un metal en lugar de un semiconductor, y ese es el error, (en oposición a los termopares que si usan propiedades de los metales).
Avatar de Usuario
felixnavarro
Gd
Gd
Mensajes: 637
Registrado: 05 Sep 2010, 17:27

Re: Tematico 31

Mensaje por felixnavarro »

12. Si se comparan las frecuencias de las bandas de
vibración que aparecen en el espectro de
fluorescencia de una sustancia con las de su espectro
de fosforescencia, se encuentra que

2. La frecuencia de la transición de mayor frecuencia en
fluorescencia es mayor que la de mayor frecuencia en
fosforescencia
4. La frecuencia de cualquier transición de fluorescencia
es mayor que la de mayor frecuencia de fosforescencia

Yo sé que la diferencia es que en la fosforescencia se pasa del nivel excitado a uno intermedio con
transición prohibida al fundamental. Así que seguro que la 2 es cierta pero ¿la 4 también?
¿Tenerife o Mallorca?
Tú haz lo que quieras pero a las 10 en casa.
Avatar de Usuario
felixnavarro
Gd
Gd
Mensajes: 637
Registrado: 05 Sep 2010, 17:27

Re: Tematico 31

Mensaje por felixnavarro »

Checa escribió:Ya se que estamos con la resaca del simulacro, pero bueno...a ver si alguien me ayuda:


33. Una de las siguientes características no corresponde
al termistor:
1. Se basa en que al variar la temperatura varía la
resistencia.
2. Al aumentar la temperatura disminuye la resistencia.
3. Es muy preciso.
4. Para medir la temperatura se mide la resistencia de un
metal.

5. Ninguna corresponde al termistor.

"Un termistor es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento se basa en la variación de la resistividad que presenta un semiconductor con la temperatura. El término termistor proviene de Thermally Sensitive Resistor"
Yo creo que si es una caracteristica q corresponde


63. ¿Cuál de los siguientes filtros presenta una fase
aproximadamente lineal?
1. Butterworth.
2. Chebyshev.
3. Elíptico.
4. Bessel.
5. RC.

Yo tenia entendido que el que tiene la fase mas lineal es el butterworth

122. Una fuente real de tensión es un sistema que
proporciona:
1. Un valor de tensión independiente de la intensidad
que circula por ella.
2. Una intensidad variable con independencia de la
tensión entre sus bornes.
3. Una determinada tensión independiente del tiempo.
4. Una potencia prácticamente nula.
5. Un valor de tensión que depende de la intensidad
que circula por ella.


No deberia ser constante la tension??? ser independiente de la intensidad

124. Utilizando un formato IEEE 754 de 16 bits (igual
que el de 32 bits pero con sólo 7 bits para el campo
de mantisa) el código que representa más
aproximadamente al número decimal -2’5034•10-5
es:
1. B869
2. B7FA
3. B8A6
4. B7D2

5. B3C8


Lo he intentado mil veces y no me da ni de coña, a alguien le sale???

146. La capacidad de transición de una unión P-N
gradual en polarización inversa es:
1. Independiente de la anchura de la zona de transición.
2. Proporcional a la anchura de la zona de transición.
3. Inversamente proporcional a la anchura de la zona
de transición.

4. Inversamente proporcional al cuadrado de la anchura
de la zona de transición.
5. Inversamente proporcional a la raíz cuadrada de la
anchura de la zona de transición.

La formula que tengo yo de la capacidad de transicion en polarizacion inversa es:

C= Co / (1+ (Vr/Vk))^n, siendo Vk la barrera de potencial de la union del diodo.
Si Vk aumenta, (Vr/Vk) disminuye, y el denominador disminuye, por lo que aumenta la capacidad, no deberia ser proporcional en ese caso????

Animo a todos!!!!

33.- No sé que decirte
Según mis apuntes de instrumentación electrónica termistores hay de dos tipos: PTC y NTC (p de pendiente positiva con la temperatura y de pendiente negativa \(R=R_0 exp{\beta(\frac{1}{T}-\frac{1}{T_0}}\)) ambos están hechos con semiconductores. Luego están los RTD que están hechos de conductores (que obviamente tienen una resistencia que crece linealmente con la temperatura R= R0 + K·(T-T0)) .
No sé muy bien si esta es una pregunta de exámen de verdad o es que se ha liado el que la escribió o el que está liado soy yo.
Escribiendo esto me acabo de dar cuenta de que tengo que repasar lo que pasa con los portadores y la temperatura porque no sé muy bien de donde sale esa exponencial.

63.- Los filtros de butterworth son los que tienen la amplitud de la respuesta en frecuencia maximalmente plana, o sea, que en la banda de paso amplifica más o menos igual para todas las frecuencias.
Los filtros de bessel se usan para proceso de audio porque el desfase varía linealmente con la frecuencia, esto es, la velocidad de grupo es igual a la de fase --> no hay distorsión.
Los filtros de elípticos son los que permiten rizado tanto en las bandas de transición como de rechazo para poder tener una pendiente muy grande en la zona de transición entre ellas y así reducidrla.
Los de Chevishev sólo tienen rizado en la banda de paso pero tienen menos pendiente que los elípticos pero tienen una zona de transición más ancha.

122.- Una fuente de tensión real = fuente de tensión ideal más impedancia de salida.
Imagina que cargas la fuente con un dispositivo que consume \(I_l\) =>la tensión a la salida será \(V_0 = V_g - I_l*Z_o\), esto es, cuanto más carga más baja la tensión de salida.

146.- La capacidad de un diodo es como la de un condensador plano: \(C=\frac{\epsilon S}{d}\) donde d es la anchura de la zona de transición y s la superficie de la zona de contacto.

Siento no haberte respondido a lo del punto flotante pero aun no he repasado eso. Espero que te ayude.
¿Tenerife o Mallorca?
Tú haz lo que quieras pero a las 10 en casa.
Checa
B
Mensajes: 47
Registrado: 06 Dic 2009, 19:15

Re: Tematico 31

Mensaje por Checa »

Vale, en la 122, si fuera una fuente ideal, si que seria incorrecto, no???

Y en la 144...yo no tenia esa expresion la verdad, pero ahora...a saber de donde ha salido la que tengo yo en los apuntes :S

Por cierto, muchas gracias :)
Avatar de Usuario
felixnavarro
Gd
Gd
Mensajes: 637
Registrado: 05 Sep 2010, 17:27

Re: Tematico 31

Mensaje por felixnavarro »

Checa escribió:Vale, en la 122, si fuera una fuente ideal, si que seria incorrecto, no???

Y en la 144...yo no tenia esa expresion la verdad, pero ahora...a saber de donde ha salido la que tengo yo en los apuntes :S

Por cierto, muchas gracias :)
Si fuera ideal Zo=0 y la tensión de salida siempre es la misma.

En cuanto a la expresión de la capacidad del condensador: vale sólo para inversa.

El del punto flotante: vas haciendo divisiones por 2 elevado a algo hasta obtener un resultado que vale 1.xxxxx ese es el exponente - 127. En este caso si divides el valor del proble por 2^-16 te da 1.6384 por lo que el exponente debe valer 127-16 = 111. Vas mirando los exponentes de los resultados uno por uno y descartando hasta que llegues al 4. B7A6 = 1 01111111 .... donde el chorro de 1s y 0s vale 111. Si ponen esto en el exámen te aseguro que paso de él, seguro que me equivoco en algo y pierdo el tiempo.
¿Tenerife o Mallorca?
Tú haz lo que quieras pero a las 10 en casa.
Planeta
N
N
Mensajes: 62
Registrado: 11 Feb 2010, 17:11

Re: Tematico 31

Mensaje por Planeta »

Mas dudillas:
24. Un circuito RC paralelo está alimentado por un generador de corriente continua de 10 u(t)A. Los
valores de R y C son 5 Ω y 20 μF, respectivamente. La capacidad está cargada inicialmente con 1 mC. La
expresión temporal de la tensión en la resistencia
será:
1. 100 u(t)
2. 50 (1 – 2 e-10000t) u(t)
3. 50 (2 + e-10000t) u(t)
4. 50 (2 – e-10000t) u(t)
5. Son correctas la 1 y la 4

50. ¿Cuál es la corriente de entrada del terminal de entrada positivo de un op-amp que tenga los valores
especificados de IIO=4nA y IIB=20nA?
1. 18nA
2. 20nA
3. 22nA
4. 24nA
5. 26nA

54. Si un JFET tiene los valores específico de yfS=4,5mS e y0S=25μ. ¿Cuál es la impedancia del dispositivo
Z0(FET)?
1. 10kΩ
2. 20kΩ
3. 30kΩ
4. 40kΩ
5. 50kΩ

77. Un solenoide toroidal engendrado por la rotación de un círculo de radio a=3 cm, está formado por 1600
espiras muy próximas recorridas por una intensidad I. Una bobina formada por 20 espiras de radio a
rodea una zona del solenoide. Si el radio medio del solenoide es 15 cm, calcular el coeficiente de
inducción mutua del solenoide y bobina:
1. 1,2 mH.
2. 2,4 mH.
3. 0,24 mH.
4. 0,12 mH.
5. 0,06 mH.
En esta obtengo 2,8 mH, q obteneis vosotros????

106. ¿Cuál es el intervalo de conteo máximo con un
contador de 12 etapas operando a una velocidad de
reloj de 20 MHz?
1. 87,9μs
2. 165,5μs
3. 193,7μs
4. 12,6μs
5. 204,8μs

108. Disponemos de un amplificador de tensión de ganancia 10, impedancia de entrada 1000 ohms e impedancia de salida 100 ohms. Si se conecta en los terminales de salida del amplificador de tensión los terminales de entrada de un amplificador de corriente de ganancia igual a 10, impedancia de entrada 100 ohms e impedancia de salida 10000 ohms, el conjunto equivale a un amplificador de
corriente. ¿Cuál es la ganancia de corriente del amplificador resultante?
1. 5.
2. 10.
3. 100.
4. 20.
5. 500.

110. Si la corriente del emisor de un transistor es de 8mA
e IB es 1/100 de IC, ¿Cuáles son los niveles de IB e IC?
1. IB=7,921 e IC=79,21
2. IB=79,21 e IC=792,1
3. IB=7921 e IC=792,1
4. IB=792,1 e IC=79,21
5. IB=79,21 e IC=7,921

114. Una superficie conductora plana cargada con 10-7
C/m2 está recubierta con una placa plana aislante de
10 cm de espesor, cuya constante dieléctrica es 5.
¿Cuál es la densidad de carga en la superficie
externa del aislante?:
1. 125 x 10-9 C/m2.
2. Cero, no hay carga.
3. 2 x 10-8 C/m2.
4. -2 x 10-8 C/m2.
5. 8 x 10-8 C/m2.

116. En el espectro de absorción electrónico de la molécula de O2 el límite de convergencia de las bandas (ó continuo) se encuentra a 56.841 cm-1, disociándose la molécula en un átomo normal (estado fundamental) y otro excitado (estado 1D) a 1,97 eV del estado fundamental. De estos datos puede deducirse para la energía de disociación de la molécula de O2 en su estado electrónico fundamental (D0’’ en kcal/mol) el valor:
1. 107
2. 117
3. 152
4. 127
5. No puede deducirse pues para ello hace falta conocer
la frecuencia de la banda 0-0
Responder